Анотація до роботи:

Тавріна Т.В. Вплив відхилу від стехіометрії та введення сульфіду кадмію на структуру і фізичні властивості CuInSe₂.- Рукопис. Дисертацiя на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10- фізика напівпровідників і діелектриків.- Інститут монокристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України, Харків, 2002.

В роботі проведено комплексне дослідження кристалічної структури, механічних, гальваномагнітних, термоелектричних і люмінесцентних властивостей кристалів CuInSe₂ при відхилі від стехіометрії та введенні CdS. Для цілеспрямованого введення в CuInSe₂ дефектів нестехіометрії певного типу використано метод “контрольованих атомних дефектів”. Встановлено зв'язок між складом, типом і концентрацією дефектів нестехіометрії, структурою і властивостями CuInSe₂ при різному характері відхилу від стехіометрії. Визначені основні типи дефектів і енергії активації пов'язаних з ними енергетичних рівнів.

Виявлено ряд нових цікавих ефектів: зміна механізму дефектоутворення і немонотонний характер зміни властивостей в межах області гомогенності при введенні в CuInSe₂ надлишкового Se; падіння концентрації носіїв заряду в CuInSe₂ в області електричної активності добавки InSe; існування тільки вузької области електричної дії надстехіометричної добавки, яка вводиться в CuInSe₂ у вигляді стійкої сполуки (InSe, In₂Se₃); осциляційний характер температурних залежностей гальваномагнітних властивостей у зразках із значною концентрацією як нейтральних, так і заряджених вакансій.

Встановлено межу розчинності CdS в CuInSe₂; досліджено ізотерми властивостей в області твердих розчинів на основі CuInSe₂. Виявлено немонотонний характер зміни властивостей в межах області гомогенності, пов'язаний із процесами колективної взаємодії і можливим упорядкуванням домішкових дефектів.

Публікації автора:

1. Рогачева Е.И., Таврина Т.В. Влияние отклонения от стехиометрии на свойства CuInSe₂ // Неорганические материалы. -1997. -Т. 33, № 10.- С. 1196-1200.

2. Рогачева Е.И., Таврина Т.В., Галкин С.Н. Зависимость микротвердости CuInSe₂ от нагрузки на индентор // Неорганические материалы.-2000.-Т.36, №2.-С.173-176.

3. T.V. Tavrina, L.I. Gladkikh, E.I. Rogacheva. Defect structure of CuInSe₂ semiconductor at deviation from stoichiometry // Functional Materials. -2000.-Vol.7, №4 (2).-P. 769-773.

4. Гладких Л.И., Рогачева Е.И., Таврина Т.В., Фомина Л.П. Рентгено-графическое исследование нестехиометрии CuInSe_2+d // Неорганические материалы. -2000. -Т.36, №11. -С.1309-1312.

5. E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina. CdS effect on CuInSe₂ structure and properties // Functional Materials. -2001. -Vol.8, №4 -P.635-641.

6. E. Rogacheva, T. Tavrina, L. Gladkikh. Non-Stoichiometry and Defect Structure of CuInSe₂ // Jpn. J. Appl. Phys.- 2000. -Vol.39, Suppl. 39-1. -P. 397-398.

7. E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina. Transport Properties of p-type CuInSe₂ // Jpn. J. Appl. Phys. -2000. -Vol.39, Suppl. 39-1. -P. 261-262.

8. Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Influence of Deviation from Stoichiometry on the Properties of CuInSe₂ // Proc. XI Conf. on Ternary and Multinary Compounds, ICTMC-11.- Inst. Phys. Conf. Ser.- № 152.- Salford (Great Britain): IOP Publishing Ltd. - 1998.- P. 155-158.

9. RogachevaE.I., Tavrina T.V. Nonstoichiometry and properties of CuInSe₂ // Abstr. of II International School-Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductors.- Chernivtsi (Ukraine).-1997.-P.52.

10. Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Deviation from stoichiometry and properties of CuInSe₂ // Abstr. XI International Conf. on Ternary and Multinary Compounds.- Salford (Great Britain).- 1997.- P. P.1.87.

11. Рогачева Е.И., Таврина Т.В. Масштабный эффект при микровдавливании в CuInSe₂ // Тезисы докл. на IV Научно-технической конференции “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогалогенідів”.-Ужгород (Украина).-1998.- С. 169.

12. Mudriy A.V., Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Optical and X-Ray Diffraction Characterization of CuInSe₂ Semiconductor Compound // Abstr. III International School-Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductors, PPMSS’99.- Chernivtsi (Ukraine).-1999.- P.105.

13. Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Gladkikh L.I. Nonstoichiomety and Properties of CuInSe₂ // Abstr. European Material Conference 1999 Spring Meeting.- Strasbourg (France).- 1999.-P. O-14.

14. Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Transport Properties of p-type CuInSe₂ // Abstr. XII Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds.- Hsinchu (Taiwan).-2000.- P. Tu-B3-1.

15. Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Gladkikh L.I., Koval’ L.P. Non-Stoichiometry and Defect Structure of CuInSe₂ //Abstr. XII Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds.- Hsinchu (Taiwan).- 2000.-P. Fr-A2-2.

Список цитованої літератури:

1. Hashimoto Y., Nishiwaki S., Negami T. and Wada T. Stabilization of manufacturing process of CIGS solar cell with treatment of CIGS surface by In and S containing solution // Jpn. J. Appl. Phys.-2000.- Vol. 39, Suppl. 39-1.- P.415-417.

2. Rogacheva E.I. Nonstoichiometry in the I-III-VI₂ compounds // Proc. XI Conf. on Ternary and Multinary Compounds, ICTMC-11.- Inst. Phys. Conf. Ser.- № 152.- Salford (Great Britain): IOP Publishing Ltd. - 1998.- P.1-14.

3. Рогачева Е.И., Таврина Т.В., Кривулькин И.М. Аномалия концентрационной зависимости микротвердости в полупроводниковых твердых растворах Pb_1-xGe_xTe // Неорганические материалы. -1999.- Т.35, №.3.-С. 305-308.

4. Rogacheva E.I., Pinegin V.I., Tavrina T.V. Percolation effects in Pb_1-xGe_xTe solid solutions // Procееd. of SPIE.- 1996.- Vol. 3182.- P. 364-368.