Анотація до роботи:

Захарчук Д.А. Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-Si. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико–математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Волинський державний університет імені Лесі Українки, Луцьк, 2004.

З використанням методів вимірювання поздовжнього п’єзоопору та п’єзо-холл-ефекту в монокристалах германію та кремнію з періодичним розподілом легуючої домішки досліджено вплив ШПН при різних дозах g-опромінення та інтенсивностях світла на анізотропію електрофізичних величин. Вперше отримано для n-Ge залежності поздовжньої m_// і поперечної m_^ складових рухливості в окремо взятому ізоенергетичному еліпсоїді від дози g-опромінення та інтенсивності світла. Встановлено незалежність m_// від даних фізико-активних впливів. Показано, що зміна компоненти рухливості m_^ при збільшенні дози опромінення та інтенсивності світла визначається зміною параметра анізотропії часів релаксації K_t.

Встановлено вплив D-долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в c-зоні для n-Ge в температурному інтервалі 290380 K при сильних одновісних деформаціях.

Обчислено в g-опроміненому n-Si при T = 125 K величину деформаційних змін енергетичної щілини d(DE) між глибоким рівнем (E_C-0,17)eB і дном зони провідності в широкому діапазоні механічних напружень для кристалографічних напрямків [110] і [111].

Досліджено характер зміни температурної залежності положення рівня Фермі в монокристалах германію n-та p-типу провідності при наявності в забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів

Публікації автора:

І. Статті:

1. Федосов А.В., Федосов С.А., Хвищун М.В., Захарчук Д.А. Особливості п’єзоопору германію в області власної провідності // Науковий вісник Волинського державного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. – Луцьк: Волинський державний університет імені Лесі Українки. – 2001. – №7. – С.26-30.

Дисертант виконував підготовку досліджуваних зразків та проводив експериментальні вимірювання холлівських параметрів та температурних залежностей п’єзоопору.

2. Хвищун М., Федосов С., Захарчук Д. Особливості п’єзоопору Ge при наявності глибоких рівнів та в області власної провідності // Вісник Львівського університету. Серія фізична. –Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2001. – №34. – С.85-93.

Дисертант проводив експеримент по вимірюванню електричних параметрів та брав участь в обговоренні результатів.

3. Федосов А.В., Хвищун М.В., Федосов С.А., Коровицький А.М., Захарчук Д.А. Визначення зміни глибини залягання електрично активного рівня у g-опроміненому n-Si при одновісній пружній деформації // Науковий вісник Волинського державного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. – Луцьк: Волинський державний університет ім. Лесі Українки. – 2003. – №11. – С.11-16.

Дисертант проводив експериментальні вимірювання електричних параметрів вихідних та опромінених зразків і виконував теоретичні розрахунки.

4. Федосов А.В., Захарчук Д.А., Хвищун М.В., Федосов С.А. Розрахунок величини зміщення рівнів радіаційних дефектів у g-опромінених монокристалах n-Si // Науковий журнал „Нові технології”. – 2004. – № 1-2 (4-5). – С. 16-18.

Дисертант виконував експеримент та розрахунок деформаційної зміни величини енергетичної щілини між глибоким рівнем та дном зони провідності.

5. Федосов А.В., Ящинский Л.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А., Хвищун Н.В. Влияние слоистых периодических неоднородностей на пьезосопротивление g-

облученных монокристаллов n-Si и n-Ge // Наукоемкие технологии. – 2004. – Т.5, №6. – С.27-31.

Дисертант виконував експериментальні вимірювання п’єзоопору та п’єзо-холл-ефекту при різних дозах опромінення та інтенсивностях освітлення і брав участь в обговоренні результатів.

6. Хвищун М., Захарчук Д., Федосов С., Ящинський Л., Коровицький А., Коваль Ю. Особливості впливу ізовалентної домішки германію на неоднорідність питомого опору у кристалах кремнію // Вісник Львівського університету. Серія фізична. –Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2004. – №37. – С.140-145.

Дисертант виконував експериментальні вимірювання і розрахунки електричних параметрів.

7. Федосов А.В., Захарчук Д.А., Хвищун М.В., Тимощук В.С. Визначення величини зміщення рівня (E_C-0,17)eB радіаційного походження в монокристалах n-Si // Наукові нотатки. Міжвузівський збірник, Луцьк. – 2003. – C. 363-368.

Дисертант проводив експериментальні вимірювання та виконував розрахунок величини деформаційного зміщення рівнів радіаційних дефектів.

ІІ. Матеріали наукових конференцій:

8. Хвищун М.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А. Особливості п’єзоопору Ge при наявності глибоких рівнів та в області власної провідності // Тези доповідей Міжнародної конференції молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики „Евріка-2001”. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2001.–С.150.

9. Федосов А.В., Хвищун М.В., Захарчук Д.А. Вплив електрично пасивних домішок на механічну міцність монокристалів кремнію// Тези першого наукового симпозіуму “Сучасні проблеми інженерної механіки”. – Луцьк: ТЗОВ „Ковельська міська друкарня”. – 2000. – С.31.

10. Хвищун М.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А., Коровицький А.М. Особливості утворення термодонорів у кристалах n-Si // Збірник тез Всеукраїнської конференції молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Евріка-2002”.–Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка.–2002.–С.15-16.

11. Хвищун М.В., Захарчук Д.А., Федосов С.А., Ящинський Л.В., Коваль Ю.В. Особливості впливу ізовалентної домішки германію на неоднорідність питомого опору в кристалах кремнію // Збірник тез Всеукраїнської конференції молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Евріка-2002”. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2002.–С.19-20.

12. Федосов А.В., Захарчук Д.А., Федосов С.А., Ящинський Л.В. Особливості п’єзоопору g-опромінених монокристалів n-Ge та n-Si при освітленні // Тези доповідей 1-ої Української конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю). – Одеса: Одеський національний університет. – 2002. – Т.2. – С.87.

13. Федосов А.В., Ящинский Л.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А., Хвищун Н.В. Влияние слоистых периодических неоднородностей на пьезосопротивление g-облучённых монокристаллов n-Si и n-Ge // Материалы Международной конференции „Физика электронных материалов”. – Калуга, Россия: КГПУ им. К.Э. Циолковского. – 2002. – С. 148-149.

14. Федосов А.В., Захарчук Д.А., Федосов С.А., Хвищун М.В., Коваль Ю.В. Оцінка величини зміщення рівнів радіаційних дефектів у g-опромінених Ge і Si при одновісному стиску // Тези доповідей IV Міжнародної школи-конференції „Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич: Видавництво НВЦ „Каменяр”. – 2003. – С. 184-185.

15. Федосов А.В., Захарчук Д.А., Хвищун М.В., Федосов С.А. Розрахунок величини зміщення рівнів радіаційних дефектів у g-опромінених монокристалах n-Si. // Тези доповідей І науково-технічної конференції з міжнародною участю „Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології”. – Кременчук: Інститут економіки та нових технологій. – 2004. – С. 41-42.

16. Захарчук Д., Хвищун М., Семенченко Р. Вплив дози g-опромінення та підсвітки на зміну параметра анізотропії рухливості в n-Ge // Збірник тез Міжнародної конференції молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Евріка-2004”. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2004.– С.66-67.

17. Захарчук Д., Федосов А., Федосов С. Температурні залежності положення рівня Фермі в германії при наявності глибоких енергетичних рівнів // Тези доповідей Х Міжнародного семінару з фізики та хімії твердого тіла. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 2004.– С.84.

18. Федосов А.В., Захарчук Д.А. Особенности изменения параметра анизотропии подвижности n-Ge от дозы g-облучения и подсветки // Труды XIV Международного совещания „Радиационная физика твердого тела”. – Севастополь. – 2004. – С.221-225.

19. Захарчук Д.А., Федосов А.В., Хвищун М.В., Семенченко Р.М. Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в германії // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців). – Чернівці: Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича. – 2004. – Т.1. – С. 152.