Анотація до роботи:

ТЕЛЕГА В.М. ‘‘Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності ’’ - рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків. Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Київ, 2002 р.

Дисертація присвячена експериментальним дослідженням впливу електронної підсистеми на формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів ВаО, СаО, SrO (А₂В₆) та GaAs (А₃В₅), які мають різну ступінь іонності. Для здійснення цих досліджень було створено оригінальну надвисоковакуумну установку. Проведені експериментальні дослідження процесів формування складу поверхні кристалів, випаровування компонент кристалів, емісійних властивостей кристалів. Показано, що впливаючи на електрону підсистему кристалів температурою, електричним полем, електричним струмом можна керувати процесами формування складу поверхні кристалів. На основі експериментальних досліджень встановлено, що керуючи процесом випаровування компонент кристалів в умовах надвисокого вакууму, можна отримувати плівки різного складу. Дослідження можливостей керування процесами випаровування та формування складу поверхні кристала GaAs при термовакуумній обробці та за рахунок впливу на електронну підсистему шляхом пропускання струму в системі зонд-кристал показали, що пропускання струму через кристал суттєво змінює швидкість випаровування As. При цьому величина ефекту залежить від величини струму, температури зразка та концентрації вільних носіїв заряду. Напрямок ефекту визначається знаком потенціалу (напрямком струму), що прикладається, та типом вільних носіїв заряду.

Формування складу поверхні кристалів, як показують експериментальні дослідження, залежить від їх ступені іонності.

Ключoві слова: квазістаціонарний стан (КСС), робота виходу, стехіометрія, випаровування, електронна підсистема, склад плівок, оже-спектроскопія, мас-спектрометрія, іонне травлення.