Анотація до роботи:

Баран М.М. Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, Дрогобич, 2005.

Дисертація присвячена теоретичному дослідженню впливу самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та їх заповнення у широкозонних легованих напівпровідниках (CdTe:Cl; ZnSe:Al,Ga; Sm_1-xCd_xS) та гетеросистемах (ZnSe/GaAs (001)) з дислокаціями.

Розкрито механізм впливу ступеня заповнення зони провідності на електрон-деформаційний потенціал зарядженої крайової дислокації та на енергію дна зони провідності в околі дислокації. Розраховано ізолінії концентрації електронів навколо крайової дислокації та поверхні електронної густини вздовж стінки дислокацій невідповідності при різних ступенях заповнення зони провідності. Для різного ступеня заповнення зони провідності отримано аналітичний вираз енергетичного спектра електрона, локалізованого на крайовій дислокації, та розв’язки рівняння для визначення закону дисперсії носіїв дислокаційної зони. Показано, що в напівпровідниках крайова незаряджена дислокація володіє діодним ефектом, який виникає за рахунок локального просторового перерозподілу електронів.

Публікації автора:

1^*. Пелещак P.M., Баран М.М. Спектр електрона в електрон-деформаційній потенціальній ямі, створеній крайовою дислокацією // УФЖ. – 2000. – Т.45, №2. – С. 251-254.

2^*. Пелещак P.M., Баран М.М. Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поля // Вісник ДУ „Львівська політехніка”. Електроніка. – 2000. – №397. – С.92-96.

3^*. Pelecshak R.M., Baran М.М. Electron concentration dependence of the localized state energy position in dislocation-containing crystal under electric field// Functional Materials. – 2001. – V.8, № 2.– P.249-254.

4^*. Pelecshak R.M., Baran М.М. Influence of the degree of conduction zone filling on the energetic position of the localized electron state on the dislocated wall // Functional Materials. – 2002. – V.9, №3. – P.474-480.

5^*. Баран М.М., Пелещак P.M., Лукіянець Б.А. Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації // Вісник ДУ „Львівська політехніка”. Електроніка. – 2002. – № 455. – С.185-191.

6^*. Баран М.М., Пелещак P.M., Лукіянець Б.А. Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокації // Вісник НУ „Львівська політехніка”. Електроніка. – 2004. – № 513. – С.101-108.

7^*. Пелещак Р.М., Баран М.М. Вплив самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани, локалізовані на крайовій дислокації // УФЖ. – 2005. – Т.50, № 3. –С.277-282.

8^*. Баран М.М., Пелещак P.M. Вплив електричного поля на локалізовані дислокаційні електронні стани // Матеріали II Міжнародного Смакулового симпозіуму „Фундаментальні і прикладні проблеми сучасної фізики”. – Тернопіль. – 2000. – С.7-8.

9^*. Пелещак P.M., Баран М.М. Спектр електрона локалізованого на дислокаційній стінці // Тези доповідей III Міжнародної школи-конференції „Сучасні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич. – 2001. -С.96.

10^*.Пелещак P.M., Баран М.М., Шуптар Д.Д., Одрехівська О.О. Вплив електрон-деформаційного диполя на формування напруженого епітаксійного шару // Матеріали IX міжнародній конференції з фізики і технології тонких плівок (МКФТТП- IX). – Івано-Франківськ. – 2003. – С.107-108.

11^*. Баран М.М., Пелещак P.M., Лукіянець Б.А., Тупичак В.П. Вплив атомів домішки Сl у CdTe на енергетичний спектр електронних станів, локалізованих на крайовій дислокації // Тези IV Міжнародної школи-конференції „Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич. – 2003. – С.9.

12^*.Баран М.М., Пелещак P.M., Тупичак В.П. Вплив ступеня заповнення зони провідності на електронні стани локалізовані на дислокації // Тези доповідей. ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців). – Чернівці-Вижниця. – 2004. – С.312-313.

13^*. Пелещак P., Лазурчак І., Галь Ю., Баран М. Метод розв'язування рівняння Шредінгера з неаксіально-симетричним потенціалом // Тези Міжнародної математичної конференції їм. В.Я. Скоробагатька. – Дрогобич. – 2004. - С.20.