Анотація до роботи:

Грушка О. Г. Вплив домішок на електричні та оптичні властивості кристалів Hg₃In₂Te₆. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2003.

На основі результатів рентгеноструктурних, магнітних, електричних і оптичних вимірювань властивостей кристалів Hg₃In₂Te₆, легованих Fe, Mn, Cr, Gd, Si, Sn, Cu до концентрацій 10¹⁸10²⁰ см^-3 встановлено, що домішки створюють у них характерні внутрішні поля, напруженість яких збільшується з ростом вмісту домішки. Випадковий характер цих полів приводить до великомасштабних флуктуацій потенціалу, які визначають особливості електричних і оптичних властивостей матеріалу. Показано, що квазівласний характер провідності зумовлюється перенесенням електронів і дірок по відповідних рівнях протікання. Встановлено, що причиною ефекту самокомпенсації домішок і стабілізації рівня Фермі поблизу середини забороненої зони є виникнення при легуванні двох систем рівнів протилежно заряджених локалізованих центрів донорного і акцепторного типу. Спостережені явища (розмиття країв зон провідності і валентної з утворенням хвостів щільності станів, зміна показника заломлення, діелектричної проникності та поляризаційних констант) пов’язані з додатковим розупорядкуванням, яке супроводжується деформацією решітки і більш сильною локалізацією електронів.

Установлено закономірності цілеспрямованого керування оптичними та діелектричними властивостями, що розширює можливості практичного використання матеріалу Hg₃In₂Te₆.

Публікації автора:

1. Грушка О. Г., Грушка З. М., Фрасуняк В. М., Герасименко В. С. Поведение примеси марганца в Hg₃In₂Te₆ // ФТП. -1999. –Т. 33, вып. 12. –С. 1416-1419.

2. Грушка О. Г., Горлей П. М., Бесценный А. В., Грушка З. М. Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg₃In₂Te₆ // ФТП. -2000. –Т. 34, вып. 10. –С. 1197-1200.

3. Грушка О. Г., Горлей П. М., Бахтінов А. П., Фрасуняк В. М. Вплив домішки заліза на властивості Hg₃In₂Te₆ // Укр. фіз. ж. -2001. –Т. 46, №3. –С. 365-367.

4. Горлей П. Н., Грушка О. Г., Фрасуняк В. М. Локализованные состояния в соединении Hg₃In₂Te₆ // ФТП. -2002. –Т. 36, вып. 5. –С. 533-536.

5. Горлей П. М., Грушка О. Г., Фрасуняк В. М. Електричні властивості кристалів Hg₃In₂Te₆, легованих гадолінієм // Укр. фіз. журн. -2002. –Т. 47, № 6. –С. 564-567.

6. Gorley P. M., Grushka O. G., Grushka Z. M. Influence of the potential fluctuations on the conduction of In₂Te₃ and Hg₃In₂Te₆ compounds // Journal of physical studies. -2002. –V. 6, № 1. –P. 83-85.

7. Горлей П. Н., Грушка О. Г. Примесная зона в кристаллах Hg₃In₂Te₆, легированных кремнием // ФТП. –2003. –Т. 37, вып. 2. –С. 176-179.

8. Горлей П. М., Грушка О. Г., Грушка З. М. Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg₃In₂Te₆ // ФТП. –2003. – Т. 37, вып. 3. –С. 272-275.

9. Грушка З. М., Грушка О. Г., Вольт-амперні характеристики гетеропереходів SnS₂/Hg₃In₂Te₆ // Наук. вісник Чернівецького університету. -1998. –Вип. 30. С. 61-66.

10. Грушка О. Г., Горлей П. М., Грушка З. М., Іваночко М. М. Кінетичні ефекти у власному напівпровіднику Hg₃In₂Te₆ при врахуванні розсіяння носіїв заряду на нейтральних центрах і акустичних фононах // Наук. вісник Чернівецького університету. -2000. –Вип. 79. –С. 15-18.

11. Grushka Z. M., Grushka O. G. Impurity behavior in the Hg₃In₂Te₆ semiconductor // Abstract booklet of Third Intern. School-confer. “Physical problems in material science of semiconductors”. Chernivtsy. -1999. –P. 104.

12. Грушка О. Г. Перколяційна електропровідність в сильних електричних полях в кристалах In₂Te₃ і Hg₃In₂Te₆ // Матеріали студ. наук. конф. Чернівці. -2000. –С. 190.

13. Grushka O. G., Gorley P. N. Optical filter based on Hg₃In₂Te₆ semiconductor compound // Second Inter. Young Scientist Conference: Scientific Problems of Optics and High Technology Material Science. Kyiv, Ukraine. -2001. –P. 52.

14. Grushka O. G., Grushka Z. M., Gorley P. M. Optical constants of Hg₃In₂Te₆ compound // XXXI Intern. School on the Physics of Semiconducting Compounds. Jaszowiec, Poland. -2002. –P. 93.

15. Gorley P. N., Grushka Z. M., Grushka O. G., Makhniy V. P., Vorobiev Y.V., Gonzalez-Hernandez J., Horley P. P. Electro-physical properties of the Hg₃In₂Te₆ semiconductor compound // 6^th Intern. Workshop on Expert Evaluation Control of Compound Semiconductor Materials. Technologies. Budapest, Hungary. -2002. –P. 214.

16. Grushka O. G., Gorley P. M. Influence of structural disorder of Hg₃In₂Te₆ crystals in impurity self-compansation effect // Intern. Conference “Physics of Electronic Materials”. Kaluga, Russia. –2002. –Р. 177.

17. Горлей П. М., Грушка О. Г., Волощук А. Г., Грушка З. М. Характеристики гетеропереходів In₂S₃- Hg₃In₂Te₆ // Друга науково-технічна конференція “Приладобудування 2003: стан і перспективи”. Київ, Україна. –2003. –С. 60-61.

18. Волощук А. Г., Білоголовка В. Т., Грушка О. Г., Моргун О. В., Нагірна О. В. Адсорбційні сульфідні плівки на поверхні монокристалів Hg₃In₂Te₆ // IX Міжн. конф. “Фізика і технологія тонких плівок”. Івано-Франківськ, Україна. –2003. –Т.2, С.81-82.