Анотація до роботи:

Даньків О. Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2007.

Дисертація присвячена теоретичному дослідженню перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки і оточуючої матриці та зовнішнього тиску.

В роботі розвинуто метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напівпровідникових структурах. Показано, що величина баричного коефіцієнта матеріалу квантової точки InAs є меншою від значення баричного коефіцієнта об’ємного матеріалу InAs на ~ 21%. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки в площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

Публікації автора:

1^*. Даньків О.О., Пелещак Р.М., Пелещак Б.М. Формування потенціального профілю в матриці GaAs з квантовими точками InAs // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Електроніка. – 2003. – № 482. – С.126-134.

2^*. Пелещак Р.М., Зегря Г.Г., Даньків О.О. Баричний коефіцієнт квантової точки в залежності від її розмірів // УФЖ. – 2005. – Т.50, № 4. – С.395-400.

3^*. Пелещак Р.М., Даньків О.О. Вплив температури росту наногетеросистеми на ширину оптичної щілини квантової точки // УФЖ. – 2005. – Т.50, № 5. – С.495-500.

4^*. Данькив О.О., Пелещак Р.М. Спектр электронов и дырок в квантовой точке InAs, перенормированный деформацией гетеросистемы InAs/GaAs // Письма в ЖТФ. – 2005. – Т.31, № 16. – С.33-41.

5^*. Dan’kiv O.O., Peleshchak R.M. Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot // Functional Materials. – 2006. – Т.13, № 1. – С.14-20.

6^*. Пелещак Р.М., Даньків О.О. Вплив форми напруженої квантової точки InAs/GaAs на енергію основного оптичного переходу // УФЖ. – 2006. – Т.51, № 10. – С.992-1000.

7^*. Даньків О.О., Пелещак Р.М., Зегря Г.Г., Лукіянець Б.А., Тупичак В.П., Вороняк Я.М. Деформаційні ефекти в гетероструктурах з квантовими точками сферичної та циліндричної симетрії // Тези доповідей IV Міжнародної школи-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич (Україна). – 2003. – С.95-96.

8^*. Даньків О.О. Спектр електрона і дірки у квантовій точці InAs, перенормований деформацією гетеросистеми InAs/GaAs // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) УНКФН-2. – Том 2. – Чернівці-Вижниця (Україна). – 2004. – С.204-205.

9^*. Пелещак Р.М., Зегря Г.Г., Даньків О.О. Баричний коефіцієнт квантових точок InAs в гетеросистемі InAs/GaAs // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) (УНКФН-2). – Том 1. – Чернівці-Вижниця (Україна). – 2004. – С.126-127.

10^*. Пелещак Р.М., Даньків О.О., Цюцюра Д.І., Британ В.Б. Вплив температури росту наногетеросистеми InAs/GaAs на електронні переходи в квантовій точці InAs // Матеріали Ювілейної Х Міжнародній конференції “Фізика і технологія тонких плівок” МКФТТП-Х. – Том ІІ. – 2005. – Івано-Франківськ (Україна). – С.38-39.

11^*. Пелещак Р.М., Лукіянець Б.А., Даньків О.О., Одрехівська О.О., Клим І.М. Залежність ширини оптичної щілини InAs квантових точок з домішками від їх розміру // Тези доповідей V Міжнародної школи-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич (Україна). – 2005. – С.50-51.

12^*. Peleshchak R. and Dan’kiv O. Influence of the InAs/GaAs nanoheterostructure growth temperature on the spectral standing of a maximum of a curve of photoluminescence at InAs quantum dot // Book of abstracts. Annual Conference in Ukraine “Statistical Physics 2005: Modern Problems and New Applications”. – 2005. – Lviv (Ukraine). – P.159.

13^*. Пелещак Р.М., Даньків О.О., Стара О.В. Модель наногетеросистеми з когерентно-напруженими квантовими точками з домішками // Матеріали ХІХ Відкритої науково-технічній конференції молодих науковців і спеціалістів Фізико-механічного інституту ім. Г.В.Карпенка НАН України “Проблеми корозійно-механічного руйнування, інженерія поверхні, діагностичні системи”. – 2005. – Львів (Україна). – C.118-121.

14^*. Данькив О.О., Пелещак Р.М., Пелещак Б.М., Одрехивская О.О. Влияние геометрии когерентно-напряженной квантовой точки на ширину ее оптической щели // Труды Седьмой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”. – Том ІІ. – 2006. – Одесса (Украина). – C.171.

15^*. Пелещак Р.М., Даньків О.О., Станько М.Г., Угрин Ю.О. Вплив симетрії деформаційного поля на ширину оптичної щілини квантової точки // Тези доповідей 2-гої Міжнародній науково-технічній конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-2). – 2006. – Одеса (Україна). – С.38.

16^*. Peleshchak R., Dan’kiv O. and Odrekhivs’ka O. Dependence of energy of electronic transition in a quantum dot from symmetry of deformation field // Book of abstracts. VIII Ukrainian-Polish and East-European Meeting on Ferroelectrics Physics. – 2006. – Lviv (Ukraine). – P.104.

17^*. Peleshchak R., Dan’kiv O. The baric coefficient of a quantum dot // Book of abstracts: European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting 2006. – 2006. – Warsaw (Poland). – P.30.