Когут Юрій Романович. Термоелектричні та магнетні характеристики ниткуватих кристалів Si1-хGeх та створення на їх основі сенсорів теплових величин : Дис... канд. наук: 05.27.01 - 2009.
Анотація до роботи:
Когут Ю.Р. Термоелектричні та магнетні характеристики ниткуватих кристалів Si1-xGex та створення на їх основі сенсорів теплових величин. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 - твердотільна електроніка. – Національний університет “Львівська політехніка”. Львів, 2008.
Дисертація присвячена створенню та прогнозуванню характеристик сенсорів теплових величин для широкого інтервалу температур на основі ниткуватих кристалів твердого розчину Si1-хGeх (х=0,01–0,1) р-типу провідності, легованих домішками , , до концентрації з діелектричного боку переходу метал-діелектрик. Наведено результати досліджень терморезистивних і термоелектричних властивостей ниткуватих кристалів Si1-xGex в інтервалі низьких та підвищених температур під дією деформування та магнетного поля, визначено механізми транспорту носіїв заряду в широкому інтервалі температур і степенів легування напівпровідника. Проведено дослідження магнетних властивостей НК та дестабілізуючого впливу зовнішніх магнетних полів на термометричні характеристики НК Si1-xGex. Розраховано основні термоелектричні та термометричні параметри НК і зроблено оцінку можливості їх використання у сенсорах теплових величин для кріогенних та підвищених температур.
На основі НК Si1-xGex створено високочутливі малоінерційні сенсори температури та різниці температур для інтервалів кріогенних (20–120К) та підвищених (300–550К) температур, працездатні в умовах дії достатньо сильних зовнішніх магнетних полів.
Публікації автора:
Druzhinin A. Thermoelectric properties of Si-Ge whiskers / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2006. – № 9. – P. 853–857.
Druzhynin A.O. Thermoelectric Properties Of Si-Ge Whiskers / A.O. Druzhynin, I.P. Ostrovsky, Yu.R. Kohut // J. Thermoelectricity.– 2007.– №3.– P. 86–90.
Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Iu.R. Kogut, J.K. Warchulska // Functional Materials.– 2007.– V.14, № 4.– P. 480–484.
Дружинін А.О. Фізичні основи створення сенсорів низьких температур на базі ниткоподібних кристалів Si-Ge / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2007. – № 1. – C. 8-13.
Поведінка електропровідності ниткоподібних кристалів Si-Ge в полях ефективного зовнішнього впливу / А.О. Дружинін, І.П. Островський,, Н.С. Лях-Кагуй,, Ю.Р. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. – 2006. – Т. 7, № 1. – С. 13-17.
Дослідження домішкової провідності ниткоподібних кристалів SiGe / Я.С. Буджак, А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут [та ін.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т. 8, № 3. – С. 504-509.
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.М. Матвиенко, Ю.Р. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005.– № 1(55). – C. 26–27.
Нитевидные кристаллы Si-Ge для измерения криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.Н. Матвиенко, Ю.Р. Когут //V Междун. науч.-практ. конф. “Современные информационные и электронные технологии”: Труды. – Одесса, 2004. – С. 258.
Temperature sensors based on Si-Ge whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, S.M. Matvijenko, Yu.R. Kogut // Proc. of the I Intern. conf. “Electronics and applied physics”. November, 24–27, 2005, Ukraine.– Kyiv, Ukraine, 2005. – P. 94–95.
Temperature sensors based on Si-Ge whiskers / А.Druzhinin, I. Оsrovskii, Iu. Kogut // IX Konferencja Naukowa “Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne” (COE-2006). Krakw– Zakopane, 19–22 czerwca 2006: Materialy konfererencyjne. – Krakow, 2006. – P.135–138.
/ A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Iu.R. Kogut, J.K. Warchulska // E-MRS 2006 Fall Meeting, Warsaw (Poland), 4th–8th September, 2006: Scientific Programme and Book of Abstracts. – Warsaw, 2006. – P. 141–142.
Magnetic Properties of Si-Ge whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Iu.R. Kogut, J.K. Warchulska // Proc. of the II Intern. conf. “Electronics and applied physics”, October, 11–14, 2006, Kyiv, Ukraine.– Kyiv, Ukraine, 2006.– P. 24–25.
Аналіз температурної залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину Si-Ge / Я.С. Буджак, А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут // XI Міжнар. конф. “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем”, 7–12 травня 2007 р. Том 2: Матеріали конференції.– Івано-Франківськ, 2007. – С. 170–171.
Магнетоопір легованих ниткоподібних кристалів Si-Ge / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут, Й.К. Вархульська // III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Україна, Одеса, 17–22 червня 2007 р.: Тез. доп. – Одеса, 2007.– С. 66.
Провідність легованих ниткоподібних кристалів твердого розчину Si-Ge / Я.С. Буджак, А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут // III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Україна, Одеса, 17–22 червня 2007 р.: Тези доповідей. – Одеса, 2007. – С. 285.
Secondary signal processing systems for SiGe-based thermal sensors / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut // Proceedings of the Intern. Conf. TCSET’2008, Lviv-Slavsko, Ukraine, February 19 – February 23, 2008.– Lviv, Slavsko, 2008.– P. 366–367.
Ефект Зеєбека в легованих ниткоподібних кристалах Si-Ge / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут // Міжрегіональний науковий семінар «Сучасні проблеми електроніки», Львів, 31 січня – 1 лютого 2008р: Тези доповідей.– Львів, 2008.– С. 33–34.
Сенсори температури на основі термоелектричного ефекту в мікро кристалах Si-Ge / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Н.С. Лях-Кагуй, Ю.Р. Когут // 3-я Міжнар. наук.-техн. конф. «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тез. доп.– Одеса, 2008. – С. 64.
Magnetic properties of Si whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Iu.R. Kogut, J.K. Warchulska // E-MRS 2008 Spring Meeting, Strasbourg: Scientific Programme and Book of Abstracts. Symposium : K Advanced Silicon materials research for electronic and photovoltaic applications. – Strasbourg, 2008.– P. 38–39.