Анотація до роботи:

Шуригін Ф.М. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06. – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Національний університет „Львівська політехніка”, Львів, 2008р.

Дисертація присвячена проблемі розробки методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Основна концепція базується на одержанні напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію з заданим рівнем легування, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду під дією опромінення високоенергетичними електронами буде мінімальною. Вперше шляхом математичного моделювання показана можливість легування мікрокристалів арсеніду індію домішкою олова в широкому діапазоні концентрацій при осадженні їх з газової фази в хлоридній системі InAs – Sn – HCl. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію з концентрацією вільних носіїв заряду від 510¹⁶ см^-3 до 110¹⁹ см^-3. Експериментально визначений оптимальний рівень легування мікрокристалів арсеніду індію, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду при опроміненні високоенергетичними електронами є мінімальна. Мікрокристали InAs, одержані осадженням з газової фази в хлоридній системі, знайшли практичне використання в датчиках магнітного поля холівського типу для вирішення магнітовимірювальних задач.

Публікації автора:

1. Inessa Bolshakova, Yaroslav Kost, Elena Makido, Fedor Shurygin. Mathematical simulation, synthesis, characterization and application of indium arsenide whiskers. // Journal of Crystal Growth. – 2007. –Volume 310. – Issues 7-9. – pp. 2254-2259.

2. Большакова І.А., Брудний В.Н.,Заячук Д.М.,Макідо О.Ю.,Маслюк В.Т., Мегела І.Г., Московець Т.А., Шуригін Ф.М. Вплив електронного опромінення на мікрокристали InSb< Sn> та InAs //Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6,№2. – С.198-202. Physics and Chemistry of Solid State. – 2005. – V.6,№2. – Р.198-202.

3. Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А., Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InAs, выращенные методом химических транспортных реакций // Известия ВУЗов. Физика. – 2006. – Т.49, №3. – C.8-10.

4. Большакова І.А., Ковальова Н.В., Кость Я.Я., Копцев П.С., Московець Т. А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію//Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2004. – №513. – C.40-47.

5. Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs_1-XSb_X з газової фази // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2007. – №592. – C.3-7.

6. I.Bolshakova, V.Brudnyi, N.Kolin, P. Koptsev, Ya. Kost, N. Kovaleva, O.Makido, T.Moskovets, F.Shoorigin The behaviour of InSb under the irradiation with reactor neutrons // Вісник НУ “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. – 2004. – №510. – С.56-61.

7. Bolshakova I., Brudnyi V., Duran I., Holyaka R., Kolin N., Kumada M., Leroy C., Luschikov V., Shoorygin F., Stckel J., Vayakis G., Viererbl L. Magnetic Field Sensors under Harsh Radiation Conditions of Neutron Irradiation // Digest of Technical Papers of 18th International Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORS XVIII). – Rome (Italy). – 2004. – СD. – P2.52 – P. 682-685.

8. Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження масопереносу InSb в системі InSb – J₂ // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2004. – №513. – C.48-54.

9. Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Опромінення високоенергетичними електронами тонко плівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2006. – №558. – C.108-113.

10. I. Bolshakova, V.Brudnyi, R.Holyaka, N. Kolin, C. Leroy, V.Luschikov, F.Shoorygin. Magnetic F Sensors under Extreme Conditions // Digest of Technical Papers of 18th International Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORS XVIII). – Rome (Italy). – 2004. –P. 526-527.

11. Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А., Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InSb // Известия ВУЗов. Физика. – 2006. – Т.49, №2. – C.42-45.

12. Большакова І.А., Заячук Д. М., Московець Т. А., Макідо О. Ю., Копцев П. С., Шуригін Ф. М. Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77525К // Вісник НУ "Львівська політехніка". Електроніка. – 2003. – № 482. – С. 86-91.