Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників і діелектриків


Василенко Василь Олексійович. Скануюча ближньопольова оптична мікроскопія поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв : Дис... канд. наук: 01.04.10 - 2009.



Анотація до роботи:

Василенко В.О. Скануюча ближньопольова оптична мікроскопія поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв - Рукопис.

Дисертація на здобуття ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. - Київський національний університет імені Тараса Шевченка. – Київ, 2009

У запропонованій роботі розвивається метод розрахунку ближньопольових зображень поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв чи екситонів під нею. Метод базується на формально точному аналітичному розв’язку рівняння Ліппманна-Швінгера. Для розв’язку рівняння Ліппманна-Швінгера використовувався метод ефективної сприйнятливості, оскільки він добре підходить для моделювання ближньопольових картин отриманих як в звичайній скануючій оптичній мікроскопії ближнього поля, так і в надшвидкій звичайній скануючій оптичній мікроскопії ближнього поля. Цей метод є достатньо універсальним - він дозволяє розраховувати поляризаційні особливості ближнього поля, резонансні властивості досліджуваних систем, а також враховувати нелінійні взаємодії в системі.

В роботі детально аналізується вигляд та властивості ближньопольових картин від розподілу електронів чи екситонів, що еволюціонує під поверхнею напівпровідника. Розраховується вигляд ближньопольових зображень та пропонується метод розрахунку ближньопольових люмінесцентних зображень від розподілу екситонів що еволюціонує поблизу неоднорідності типу квантової точки. На прикладі розподілу екситонів під поверхнею, проводиться аналіз впливу нелінійної складової сприйнятливості на вигляд ближньопольових зображень.

Отримані результати можуть бути корисними для інтерпретації експериментальних результатів, які отримують при дослідженні ближньопольовим скануючим оптичним мікроскопом таких динамічних процесів, як транспортування, розсіяння та релаксація вільних носіїв чи екситонів в приповерхневому шарі напівпровідників.

Публікації автора:

  1. Lozovski V. Simulation of Near-Field Images of a Semiconductor Surface with Different Carrier Distributions / V. Lozovski, G. Tarasov, V. Vasilenko // Opt. and Spec. –2007. – Vol. 103, №6. – P. 925-935.

    Lozovski V.Z. Self-consistent model for ultrafast near-field microscopy and near-field luminescence microscopy modeling of semiconductor surface / V.Z. Lozovski, V.O. Vasilenko // Opt. Comm. – 2008. – V. 281, №15. – P. 3932-3937.

    Lozovski V. Near-field imaging of surfaces with Gaussian distribution of carriers / V. Lozovski, V. Vasilenko, G. Tarasov, Yu. Mazur, G. Salamo // JOSA B – 2007. – V. 24, №7. – P. 1542-1548.

    Vasilenko V. Near-field investigation of exciton dynamics under semiconductor surface / V. Vasilenko, V. Lozovski // Opt. Comm. –2008. – V. 281, №23. – P. 5919-5924.

    Lozovski V.Z. Near-field visualization of dynamical processes of semiconductor surface / V.Z. Lozovski, V.O. Vasilenko // Ultramicroscopy. – 2008. – V. 109, №1. – P. 39-43.

    Василенко В. O. Застосування методу ефективної сприйнятливості до моделювання скануючої оптичної мікроскопії ближнього поля / В. O. Василенко, В. З. Лозовський // УФЖ. – 2009 – T. 54, №3. – С. 244-255.

    Василенко В. O. Ближньопольова візулізація динаміки екситонів поблизу поверхні напівпровідника з включеною неоднорідністю / В. O. Василенко, В. З. Лозовський // Всеукраїнська конференція з міжнародною участю, присвячена 90-річчю Національної академії наук України “Хімія, фізика та технологія поверхні наноматеріалів” , 28-30 травня, 2008. – Київ (Україна), 2008. – c. 114-115.

    Василенко В. O. Ближньопольова візуалізація динаміки екситонів під поверхнею напівпровідника з врахуванням нелінійних взаємодій / В. O. Василенко, В. З. Лозовський // Конференція молодих вчених з фізики напівпровідників “Лашкарьовські Читання – 2008”, 21-23 квітня, 2008. – Київ (Україна), 2008. – c.85-86.

    Vasilenko V. O. UF-SNOM of semiconductor surface with inhomogeneous distribution of curriers / V.Z. Lozovski, V.O. Vasilenko // III Ukrainian scientific conference on physics of semiconductors, June 17-22, 2007. – Odessa (Ukraine), 2008. – P. 226.

    Vasilenko V.O., Near-field imaging of semiconductor surface with inhomogeneous distribution of curriers / V.Z. Lozovski, V.O. Vasilenko // 6-th International yang scientist conference “Optics and high technology material science SPO 2005”, October 27-30, 2005. – Kyiv (Ukraine), 2005. – P. 46-47.