Анотація до роботи:

Сидор О.А. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 – твердотільна електроніка. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2009.

У роботі розроблено фізико-технологічні основи отримання лазерним випромінюванням фотодіодів (ФД) на основі p-InSe, досліджено їх характеристики, запропоновано модель формування p–n-переходу при лазерному опроміненні шаруватих кристалів. Вперше виявлено “ефект малих доз” при Х- та -опроміненні ФД власний оксид–p-InSe і n-InSe–р-InSe, приведено якісне пояснення природи даного ефекту та запропоновано технологію покращення параметрів ФД на основі шаруватих кристалів низькодозовим (D 300 Р) опроміненням. Вперше досліджено вплив гальмівних g-квантів (Е_еф = 3 МеВ, D = 0,14 – 140 кГр) та високоенергетичних електронів (Е = 12 МеВ, D = 3,3 – 330 кГр) на електричні та фотоелектричні характеристики InSe(GaSe) ФД. При цьому спостерігалося поліпшення параметрів ФД, а для максимальних доз – незначне зменшення деяких з них. Вплив радіації зводився до утворення точкових дефектів вакансійного типу. Вперше вивчено вплив гамма-нейтронного (Е_еф = 8 МеВ, Ф = 10¹¹ – 10¹³ см^-2) та реакторного нейтронного опромінення (Е_еф = 1 МеВ, Ф = 110¹⁴ – 510¹⁵ см^-2) на параметри InSe(GaSe) ФД. Показано, що радіація призводить до утворення як точкових дефектів, так і кластерів, що є ефективними центрами рекомбінації. Згідно даним рентгеноструктурного аналізу і спектрів комбінаційного розсіювання світла всі типи опромінення призводять до несуттєвих змін кристалографічної структури, вакансійної і домішкової підсистеми шаруватих кристалів.

Публікації автора:

1. Ковалюк З.Д., Політанська (Cидор) О.А. Створення та дослідження p–n-переходів на p-InSe імпульсним лазерним опроміненням // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, №1. – С.146-148.

2. Політанська (Cидор) О.А. Вплив Х-опромінення на фотоелектричні параметри гетероструктур оксид–InSe // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. – 2005. – Випуск 17. – С.38-42.

3. Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н., Хомяк В.В. Исследование влияния гамма-облучения на гетеропереходы p–n-InSe // Письма в ЖТФ. – 2005. – Т.31, №9. – С.1-5.

4. Ковалюк З.Д., Політанська (Cидор) О.А., Заслонкін А.В. Фотоелектричні властивості p-n-переходів на основі p-InSe, створених лазерним опроміненням // Науковий вісник Чернівецького національного університету. Фізика. Електроніка. – 2005. – Т.237. – С.69-71.

5. Ковалюк 3.Д., Катеринчук В.Н., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н. Оптимизация фотоэлектрических параметров InSe-гетероструктур гамма-облучением // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – №5 (55). – С.47-48.

6. Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская (Cидор) О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел–p-InSe в условиях рентгеновского облучения // ФТП. – 2006. – Т.40, №8. – С.940-943.

7. Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Politanska (Sydor) O.A., Sydor O.M., Savchuk A.I., Raransky M.D., Palamaryk M.Yu. Change of heterostructures contact potential difference induced by X-ray irradiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics. B. – 2006. – Vol.246, No.1. – P.118-121.

8. Ковалюк З.Д., Литовченко П.Г., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ІТО – GaSe // ФТП. – 2007. – Т.41, №5. – С.570-574.

9. Ковалюк З.Д., Политанская (Cидор) О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А.. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p–n-InSe // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т.33, №18. – С.14-22.

10. Ковалюк З.Д., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н., Маслюк В.Т. Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ // ФТП. – 2008. – Т.42, №11. – С.1321-1326.

11. Коvalyuk Z.D., Politanska (Sydor) О.А. Creating and investigation of p-InSe-based p–n-junctions by pulse laser irradiation // Abstracts of the 2nd international conference on materials science and condensed matter physics, – Chisinau, Moldova, September 21-26, 2004. – Р.145.

12. Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н. ІnSe изотипный фотогетеротранзистор // Международная конференция “Современное материаловедение: Достижения и проблемы” MMS-2005, – Киев, 26-30 сентября, 2005. – С.451-452.

13. Політанська (Cидор) О.А. ІnSe фотогетеротранзистор, створений лазерним випромінюванням // Тезиси доповідей Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2006, – Львів, 15-17 травня, 2006. – С.49.

14. Ковалюк З.Д., Політанська (Cидор) О.А., Грицюк Б.М. Ізотипні та анізотипні гетеропереходи на InSe створені лазерним випромінюванням // Тези доповідей 2-ої Міжнародної науково-технічної конференції „Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”, – Одеса, 26-30 червня, 2006. – С.222.

15. Коvalyuk Z.D., Politanska (Sydor) О.А., Maslyuk V.T. Radiative stability of InSe-diodes irradiated with fast electrons // Abstracts of the 3nd international conference on materials science and condensed matter physics, – Chisinau, Moldova, October 2-6, 2006. – Р.239.

16. Політанська (Cидор) О.А. Вплив іонізуючих випромінювань на електрофізичні властивості структур GaSe-InSe // Тезиси конференції молодих вчених і аспірантів Інституту електронної фізики НАН України ІЕФ-2007, – Ужгород, 14-19 травня, 2007. – С.175.

17. Максимчук И.Н., Ткаченко В.Г., Ковалюк З.Д., Политанская (Cидор) О.А., Дубинко В.В. Радиационно-стойкие сенсоры ядерных излучений на основе слоистых структур // Международная конференция “HighMatTech 2007”, – Киев, 15-19 октября, 2007. – С.346.

18. Kovalyuk Z.D., Politanska (Sydor) O.A., Tkachenko V.G., Maksymchuk I.N., Dubinko V.V., Savchuk A.I. Radiation hardness of photodiodes based on indium and gallium monoselenides under influence of g-radiation // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2008 E-MRS 2008, Symposium N, – Strasbourg, France, May 26 – 30, 2008. – Р.9.

19. Ковалюк З.Д., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н., Максимчук И.Н., Ткаченко В.Г., Дубинко В.И. Радиационная стойкость фотодиодов на основе моноселенидов индия и галлия при воздействии гамма-квантов // 9-я Международная научно-практическая конференция “Современные информационные и электронные технологии” СИЭТ-2008, – Одесса, 19 – 23 мая, 2008. – С.127.

20. Kovalyuk Z.D., Politanska (Sydor) O.A., Sydor O.M., Tkachenko V.G., Maksymchuk I.M., and Dubinko V.I. Change of properties of barrier structures based on layered crystals under influence of high-energy irradiation // 5^th International сonference ”Materials and Coatings for Extreme Performances: Investigations, Applications, Ecologically Safe Technologies for Their Production and Utilization” МЕЕ-2008, – Yalta, September 22 – 26, 2008. – Р. 387.