Анотація до роботи:

Шпортько К.В. Поверхневі поляритони в дифосфідах ZnSiP₂, ZnP₂, CdP₂. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Волинський державний університет імені Л. України, Луцьк, 2004.

Дисертаційна робота присвячена дослідженню впливу анізотропії фононної та плазмової підсистем на спектри ІЧ відбивання, властивості поверхневих поляритонів в оптично анізотропних монокристалах дифосфідів ZnSiP₂, ZnP₂, CdP₂.

В роботі показана можливість визначення оптичних та електрофізичних властивостей монокристалів дифосфідів ZnSiP₂, ZnP₂, CdP₂ в області залишкових променів методом ІЧ спектроскопії відбивання. Запропоновано математичну модель діелектричної функції цих монокристалів в ІЧ діапазоні. Досліджено вплив плазмової підсистеми монокристалів дифосфідів на спектри ІЧ відбивання. Одержані параметри цих монокристалів дозволяють прогнозувати їх оптичні властивості в широкому діапазоні частот плазмових коливань.

В роботі досліджено вплив анізотропії оптичних властивостей монокристалів ZnSiP₂, ZnP₂, CdP₂ на поверхневі поляритони в них. Визначено частотні інтервали існування, теоретичні дисперсійні залежності поверхневих поляритонів першого та другого типів. Методом спектроскопії порушеного повного внутрішнього відбивання отримано експериментальні точки дисперсійних залежностей поверхневих поляритонів, що узгоджуються з теоретичними результатами. Досліджено сингулярні поверхневі поляритони в ZnSiP₂. Представлені дисперсійні залежності сингулярних поверхневих поляритонів, спектри та поверхня поруеного повного внутрішнього відбивання сингулярних поверхневих поляритонів в ZnSiP₂, досліджена їх структура поля.