Анотація до роботи:

Лебединський А.М.. Плівки CsI(Tl): структура, сцинтиляційні властивості, формування зображень. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2008.

Шляхом вакуумної конденсації було отримано шари сцинтилятору CsI(Tl) з відтворюваною морфологією, структурними й сцинтиляційними характеристиками на різних типах підкладки. Методами рентгеноструктурного аналізу й растрової електронної мікроскопії встановлено закономірності структуроутворення й особливості формування стовпчастої морфології шарів CsI(Tl) при вакуумній конденсації.

Розроблено й випробувано методику вакуумного напилення шарів CsI(Tl), що дозволяє забезпечити в зростаючому шарі необхідну концентрацію активатора та його однорідний розподіл в об'ємі шару. За запропонованою методикою математичної обробки спектрів амплітуд імпульсів сцинтиляцій отримані кількісні оцінки світлового виходу шарів CsI(Tl), що свідчать про те, що сцинтиляційні характеристики шарів CsI(Tl) близькі до характеристик кращих кристалів CsI(Tl).

Показано можливість формування зображення в - випромінюванні з використанням стовпчастих шарів CsI(Tl). Методом побудови функції передачі модуляції виконано оцінку просторової роздільної здатності шарів CsI(Tl).