Анотація до роботи:

Драпак С.І. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2004.

В роботі проаналізовано вплив товщини шару власного оксиду моноселеніду галію та кристалографічної орієнтації базового напівпровідника на фізичні властивості гетероструктури In₂O₃:Sn-Ga₂O₃-GaSe. Проведено комплексне дослідження процесу формування бар’єра та зміни його параметрів під час росту окисної плівки при Т = 400^оС в гетероструктурі р-InSe-власний окисел. Показана можливість отримання плівок In₂Se₃ g - модифікації методом вакуумного напилення a-In₂Se₃ із відтворюваними характеристиками. Проведено порівняльний аналіз вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик, а також спектрів відносної квантової ефективності фотоперетворення анізотипних радіаційно стійких гетеропереходів р-GaSe (InSe)-n-In₂Se₃, створених методом посадки на оптичний контакт і методом вакуумного напилення In₂Se₃. Встановлено вплив межі поділу на електричні властивості гетеропереходів, створених методом посадки на оптичний контакт двох шаруватих напівпровідників, у випадку зменшення їх послідовного опору до значень, типових для промислових кремнієвих діодів (на прикладі ізотопного гетеропереходу p⁺-Bi₂Te₃-p-GaSe). Досліджено зміну параметрів бар’єра гетеропереходів, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довгострокового зберігання (> 10 років) на прикладі гетеропереходу р-GaSe-n-InSe. Встановлено, що вже незначне нагрівання (до 80-100^оС) підкладинок із р-InSe перед нанесенням олова методом вакуумного напилення порушує омічність такого контакту, а вольт-амперні характеристики такого гетероконтакту добре описуються в рамках класичної моделі структур метал-діелектрик-напівпровідник. Показана можливість використання біологічно активної речовини природного походження – прополісу (продукт життєдіяльності бджіл) при розробці та створенні фоточутливих структур. Приведено результати досліджень електричних та фотоелектричних властивостей гібридних гетероконтактів напівпровідник (р-InSe, n-Sі)- прополіс, а також спектрів оптичного поглинання плівок прополісу в діапазоні 0.3810 мкм при кімнатній температурі.

Публікації автора:

1. Drapak S.I., Katerinchuk V.N., Kovalyuk Z.D., Manasson V.A. The Injection Peculiarities of Minority Charge Carriers in the Anisotype SIS Structure // Phys. Stat. Sol. –1989. Vol. 115 A. – P.K53-K57.

2. Драпак С.И., Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Манассон В.А. Фотопреобразователи на основе гетеропереходов InSe-GaSe, In₂O₃- GaSe // Физическая электроника. – 1990. № 41. – С.92-94.

3. Manasson V.A., Kovalyuk Z.D., Drapak S.I., Katerinchuk V.N. Polarization-Sensitive Photodiode for the 632,8 nm Spectral Region // Electronics Letters. – 1990. V. 26, № 10. – P.664.

4. Драпак С.И., Ковалюк З.Д. Эффект усиления фототoка в гетероструктуре In₂O₃- GaSe // Письма в ЖТФ. – 2001. Т.27, вып.18. – С. 1-7.

5. Драпак С.И., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Орлецкий В.Б. О механизмах токопрохождения в гетероструктуре n-In₂Se₃-p-GaSe // Письма в ЖТФ. – 2002. Т.28, вып.17. – С. 1-8.

6. Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. Возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в изотипной гетероструктуре p⁺-Bi₂Te₃-p-GaSe // Письма в ЖТФ. – 2002. Т.28, вып.15. – С. 86-94.

7. Drapak S.I., Netyaga V.V., Kovaluyk Z.D. The Electrical and Photoelectrical Properties of n-In₂Se₃-p-InSe Heterostructures // Technical Physics Letters. – 2002. V.28, № 9. – P.711-713.

8. Григорчак І.І., Нетяга В.В., Гаврилюк С.В., Драпак С.І. Структура та фізичні властивості InSe і GaSe інтеркальованих молекулярним фтором // Журнал фізичних досліджень. – 2002. Т.6, №2. – С. 193-196.

9. Григорчак И.И., Гаврилюк С.В., Зусайлов Ю.Н., Ковалюк З.Д., Драпак С.И., Бахматюк Б.П. Взаимодействие халькогенидов висмута с молекулярным фтором // Неорг. Материалы – 2002. Т.1, №1. – С. 33-35.

10. Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. Электрические свойства изотипной гетероструктуры p⁺-Bi₂Te₃-p-GaSe // ФТП. – 2003. Т.37, вып.2. – С. 180-186.

11. Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. Формирование барьера в гетероструктуре “собственный окисел” - р - InSe. Электрические и фотоэлектрические свойства // ФТП. – 2003. Т.37, вып.2. – С. 196-202.

12. Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. Фотий В.Д. Зонная диаграмма фоточувствительной структуры Sn-p-InSe. // Письма в ЖТФ. - 2003. Т. 29, вып. 11. – С. 86-94.

13. Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. Гетероконтакт полупроводник-прополис. // Письма в ЖТФ. - 2003. Т. 29, вып. 20. – С. 69-76.

14. Драпак С.И., Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Манассон В.А. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно тонким слоем диэлектрика: Препр. № 5 / АН УССР. ИПМ. – К.: 1989. – 19 с.

15. Драпак С.І., Ковалюк З.Д. Підсилення фотоструму в гетероструктурі In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe. // Матеріали VIII-ї Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок”. – Івано-Франківськ, Україна. – 2001. – С. 142 .

16. Drapak S.I., Kovaluyk Z.D., Netyaga V.V., Orletskii V.B. Photosensitive radiation stable thin In₂Se₃ films for visible and near IR spectral range // Abstracts of the 19-th General Conference of the EPS Condensed Matter Division held jointly with Condensed Matter and Materials Physics. - Brighton, UK. – 2002. – P. 57.

17. Gavrylyuk S.V., Kovaluyk Z.D., Drapak S.I. X-Ray diffraction investigations of semiconducting InSe and Bi₂Se₃ crystals exposured in molecular fluorine vapour // Abstracts of the 6-th Bienniel Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. - Grenoble and Aussois, France. – 2002. – P. 116.

18. Drapak S.I., Kovaluyk Z.D., Netyaga V.V., Orletskii V.B. The Nature of Noises Particularities in Heterostructures Based on Thermo-Oxidated p-InSe Crystals // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2002 (EMRS 2002), Symposium D. – Strasburg, France. – 2002. – P. B.41.

19. Drapak S.I., Bakhtinov V.P., Orletskii V.B., Kovaluyk Z.D., Netyaga V.V. Photosensitive structure semiconductor-propolis // Abstracts of the 2-nd International Workshop on Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIP). – Turin, Italy. – 2002. – P. 58.

20. Drapak S.I., Kovaluyk Z.D., Orletskii V.B., Fotiy V.D. Preparation and investigations of photosensitive In₄(Se_1-x Te_x)₃ solid solution films // Abstracts of the 13-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. – Paris, France. – 2002. – P. 187.

21. Drapak S.I., Kovalyuk Z.D., Netyaga V.V., Orletskii V.B. Radiation stable photodetectors based on layered III-VI compounds. // Abstracts of International conference “Science for Materials in the Frontier of Centuries: Advantages and Challenges”. – Kyiv, Ukraine. – 2002. – P. 129-130.

22. Orletskii V.B., Fotiy V.D., Drapak S.I., Kovalyuk Z.D., Savitskii P.I. The nature of burst noise in photosensitive polycrystalline films of PbSe and In₄Se₃. // Materials of APS March Meeting 2003. – Austin (TX), USA. – 2003. – P. JL 125.

23. S.I. Drapak, V.B. Orletskii, Z.D. Kovalyuk, P.I. Savitskii. Dynamics of Barrier Formation Process in Heterostructures Based on Thermally Oxidized p-InSe Crystals. // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2003 (EMRS 2003), Symposium D. – Strasburg, France. – 2003. – P. 22.

24. Drapak S.I., Orletskii V.B., Bakhtinov A.P., Kovalyuk Z.D., Fotiy V.D. Photosensitivity of layered semiconductor-propolis heterocontact // Materials of APS March Meeting 2003. – Austin (TX), USA. – 2003. – P. JL 116.

25. Драпак С.І., Ковалюк З.Д., Орлецький В.Б. Струми обмежені просторовим зарядом в гетероструктурі р-InSe - власний окисел. // Матеріали IX-ї Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок”. – Івано-Франківськ, Україна. – 2003. – С. 161-162 .

26. Drapak S.I., Bakhtinov A.P., Orletskii V.B., Kovalyuk Z.D., Savitskii P.I. Spectral investigations of semiconductor-propolis heterostructures. // Proccedings of XVI-th International School-Seminar “Spectroscopy of Molecules and Crystals”. – Sevastopol, Ukraine. - 2003. – P. 126.

27. Drapak S.I., Kovalyuk Z.D., Orletskii V.B., Fotiy V.D. Dynamics of 1/f noice variation in InSe-intrinsic oxide heterostructures in barrier formation process. Proceedings of the 17-th International Conference on Noise and Fluctuations. – Prague, Czech Republic. – 2003. – P. 183-186.

28. Drapak S.I., Bakhtinov A.P., Orletskii V.B., Kovalyuk Z.D. Preparation and investigation of hybrid organic-inorganic InSe-based structures. // Abstracts of the First International Meeting on Applied Physics (APHYS). – Badajoz, Spain. – 2003. – P. 331.