Анотація до роботи:

Стрельчук В.В. ”Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А³В⁵ і А²В⁶ ”. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2006.

Дисертацію присвячено вирішенню проблеми взаємозв’язку між структурно-морфологічними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників А³В⁵ і А²В⁶. З’ясовано закономірності процесу зародження та латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) і квантових ниток, отриманих на основі процесів самоорганізації у напружених гетероструктурах. Показано, що на ранніх стадіях осадження (In,Ga)As/GaAs (CdSe/ZnSe) гетероструктур утворюється 2D шар, який включає внутрішньошарові плоскі наноострівці, збагачені In (Cd), що обумовлено аномально інтенсивною деформаційно-стимульованою інтердифузією та сегрегацією атомів у напружених гетероструктурах. З’ясовано основні закономірності впливу високих градієнтних полів анізотропних напружень у наноструктурах на просторове впорядкування, покращення однорідності розмірів та оптичну анізотропію випромінювання квантових точок та ниток. Виявлено та досліджено вплив компонентної неоднорідності та структурних дефектів на випромінювальну рекомбінацію носіїв заряду, екситон-фононну взаємодію, фононні збудження, антистоксове випромінювання у наноострівцях. З’ясовано вплив пасивації обірваних поверхневих зв’язків у нанокристалах, синтезованих хімічними методами, на їх випромінювальну рекомбінацію. Для InAs/AlSb наноструктур виявлено вплив типу інтерфейсу на концентрацію, рухливість 2D електронів в InAs КЯ та міжпідзонні LO-фонон-плазмонні збудження.

У дисертації вирішено наукову проблему встановлення взаємозв’язку між оптичними та структурно-морфологічними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників А²В⁶ і А³В⁵.

Викладені в дисертаційній роботі результати досліджень впливу структурних змін напівпровідникових А³В⁵ і А²В⁶ низькорозмірних структур на їх оптичні властивості дозволили виявити та одержати інформацію про ряд нових фізичних ефектів та процесів, що відбуваються в напівпровідниках при пониженні їх розмірності. Виходячи з аналізу проведених досліджень можна сформулювати такі найважливіші результати та висновки роботи:

1. Для In_xGa_1-xAs/GaAs структур (х = 0,200,35) встановлені особливості процесу формування In_xGa_1-xAs КТ:

а) на початковому етапі 2D-3D переходу в In_xGa_1-xAs/GaAs структурах реалізується самоіндуковане формування In_xGa_1-xAs наноострівців двох типів: 3D острівців і 2D-подібних острівців. Острівці мають еліптичну форму основи з орієнтацію головної і побічної осей вздовж [] і [011] напрямків;

б) виявлено вертикальне впорядкування наноострівців з ознаками дальнього порядку в латеральній площині. Визначені середні значення деформацій і концентрації індію в In_xGa_1-xAs шарах структури. Отримані профілі розподілу індію в In_xGa_1-xAs шарі вздовж напряму росту структури. Результати досліджень підтверджують важливу роль сегрегації атомів In і інтердифузії атомів Ga із GaAs шарів при формуванні In_xGa_1-xAs КТ;

в) запропонована фізична модель механізму формування In_xGa_1-xAs КТ, яка враховує ефекти сегрегації і інтердифузії атомів In/Ga і дозволяє адекватно пояснити експериментальні результати отримані методами АСМ, ФЛ, КРС і реннгенівської дифракції.

2. З’ясовані основні закономірності латерального впорядкування (In,Ga)As КТ (КН) у
In_xGa_1-xAs/GaAs наноструктурах:

a) при збільшенні кількості періодів багатошарової In_хGa_1-хAs/GaAs структури спостерігається поліпшення латерального впорядкування і однорідності розмірів КТ і КН;

б) зміна товщини розмежовуючого шару і концентрації індію може приводити до утворення однорідних періодичних ланцюжків КТ і КН. Простежена еволюція зміни їх геометричних параметрів і орієнтації;

в) збільшення оптичної анізотропії випромінювання КТ і КН корелює з анізотропією релаксації пружних деформацій в двох перпендикулярних напрямах [011] і [] і асиметрією їх форми;

г) механізм латерального впорядкування КТ і КН в багатошарових структурах обумовлений анізотропією пружних властивостей розмежовуючого шару і поверхневої дифузії адатомів, взаємодією пружних деформаційних полів КТ внаслідок їх перекриття в 2D змочуючому шарі.

3. Методом рентгенівської дифракції з’ясовані закономірності розподілу деформацій в багатошарових In_0,3Ga_0,7As/GaAs структурах з квантовими нитками: просторове впорядкування квантових ниток (латеральне і вертикальне) спричинює квазіперіодичний розподіл деформації, який істотно анізотропний по відношенню до кристалографічних напрямків типу <011>;

4. Використовуючи бічні поверхні овальних дефектів в якості природно розорієнтованих ростових поверхонь експериментально отримано підтвердження домінуючої ролі індукованої деформаціями кінетики анізотропії росту, відповідальної за формування ланцюжків квантових точок в (In,Ga)As/GaAs багатошарових структурах, в порівнянні із селективним механізмом формування квантових точок на поверхневих сходинах підкладок з розорієнтованими поверхнями. Показано, що напрямки орієнтації ланцюжків квантових точок не змінюються при відхиленнях ростової орієнтації поверхні (100) на 0,7 в напрямку [] і 8 в напрямку [011].

5. Вперше проведено систематичні дослідження морфології мікродефектів для In_0,45GaAs_0,55/GaAs(N11)A/B структур з квантовими точками. Показано, що домінуючим чинником в зміні форми мікродефектів є анізотропія пружних властивостей високоіндексних поверхонь. Встановлено, що ефект латерального впорядкування КТ на високоіндексних поверхнях визначається анізотропією пружних властивостей поверхні і пружною взаємодією сусідніх КТ в площині шару.

6. Методом КРС підтверджено істотну роль процесів інтердифузії та сегрегації атомів Cd в процесі вирощування CdSe/ZnSe наноструктур методом МПЕ. Останнє приводить до утворення 2D-шарів Cd_xZn_1-xSe з внутрішньошаровими включеннями Cd-збагачених острівців. Експериментально підтверджено взаємозв’язок неоднорідного уширення смуги випромінювання острівців із флуктуаціями їх компонентного складу. Обґрунтувано локалізацію дефектів вакансійного типу на гетероінтерфейсі наноострівець – бар’єрний шар.

7. Виявлена анаомально інтенсивна антистоксова ФЛ CdSe/ZnSe наноструктур пояснена з використанням моделі двоступеневого процесу збудження через реальні проміжні глибокі енергетичні рівні, які включають катіонні вакансії. Досліджено ефективну випромінювальну рекомбінацію екситонів за участю фононів при переході від енергії збудження, що відповідає локалізованим станам, до енергій, що відповідають делокалізованим екситонним станам. Отримані експериментальні дані інтерпретовані в рамках моделі ефективного екситонного краю рухливості.

8. Експериментально досліджені випромінювальні властивості синтезованних хімічним методом нанокристалів CdTe, поверхня яких пасивована тіогліколевою кислотою. Показана можливість пасивації [111]Те граней НК CdTe молекулами води. Побудована енергетична діаграма таких нанокристалів з врахуванням поверхневих станів, що виникають внаслідок пасивації поверхні. Вперше виявлений низькоенергетичний зсув максимуму ФЛ водного колоїдного розчину нанокристалів CdTe в околі фазового переходу рідина - лід, який пояснено зростанням поверхневого заряду і пов’язаного з ним електричного поля при замерзанні розчину.

9. Показано принципову можливість подавлення безвипромінювального поверхневого каналу рекомбінації CdS_XSe_1-X КТ обробкою структур у низькотемпературній (Т < 300 ⁰С) водневій плазмі високочастотного розряду, що приводить до зростання інтенсивності їх екситонної люмінесценції на 20-70%. Ефект пояснено пасивуванням атомарним воднем поверхні КТ.

10. Методом резонансного КРС досліджено міжпідзонні LO-фонон-плазмові збудження в InAs/AlSb наноструктурах з InSb- і AlAs-подібним інтерфейсом. Встановлено, що при InSb-подібному інтерфейсі має місце зменшення концентрації і збільшення рухливості 2D електронів в InAs КЯ. У випадку AlAs-інтерфейса на гетерограниці КЯ-бар’єр утворюється твердий розчин Al_1-xSb_xAs (х 0,1). Виявлені значні зміни концентрації 2D електронів при низькій температурі в залежності від енергії кванта збудження.

11. Для імплантованих іонами As⁺ і термічно відпалених In_0,253Ga_0,747As/GaAs структур з квантовою ямою з’ясовані основні закономірності змін кристалічної структури і електронної зонної структури. Показано, що низькочастотне зміщення і асиметрія форми LO(GaAs) фононної лінії InGaAs/GaAs КЯ у спектрах КРС обумовлені розмірним ефектом, який пояснено на основі моделі ”просторової кореляції фононів”. Встановлено, що домінуючим ефектом впливу імплантації на кристалічну структуру GaAs і InGaAs є утворення значної концентрації точкових дефектів і деформацій стиску аж до -0,1%. Останні релаксують при термічному відпалі. Залишкові заряджені точкові дефекти і вільні носії заряду обумовлюють голубий зсув краю поглинання InGaAs КЯ і істотне зменшення часу життя нерівноважних носіїв заряду.

Таким чином, в роботі виявлено та інтерпретовано різноманітні фізичні ефекти, пов’язані із взаємозв’язком структурних і оптичних властивостей напівпровідникових А³В⁵ і А²В⁶ низькорозмірних структур. В сукупності результати дисертації являють собою систему взаємодоповнюючих фундаментальних і діагностичних даних про природу механізму самоорганізації наноструктур шляхом 2D-3D переходу, механізми самоорганізованого латерального впорядкування КТ і КН та особливості їх випромінювальних властивостей, вплив ефектів компонентної неоднорідності та структурних дефектів на випромінювальну рекомбінацію носіїв заряду, екситон-фононну взаємодію, фононні збудження у наноострівцях, а також про зміну параметрів і фізичних властивостей наногетероструктур при зміні товщини шарів і компонентного складу. Отримані в дисертації нові дані важливі для науки та виробництва. В наукових дослідженнях вони повинні враховуватись при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні властивості наноструктур. На практиці їх необхідно застосовувати при розробці елементної бази опто- і наноелектронних пристроїв з використанням методів нанотехнологій.

Основні результати дисертації опубліковано в роботах:

1. Valakh M.Ya., Strelchuk V.V., Toropov A.A., Sorokin S.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Mestres N., Pascual J., Shubina T.V., Pozina G., Monemar B. Optical investigation of CdSe/ZnSe quantum nanostructures // Semicond. Sci. Technol.– 2002.– V.17.– P. 173-177.

2. Артамонов В.В., Валах М.Я., Громашевский В., Нечипорук В.Д., Стрельчук В. В., Юхимчук В.О. Спектроскопия КРС ионно-имплантированых слоев GaAs // Физика и техника полупроводников.– 1992.– Т. 26, Вып. 4.– С. 725-729.

3. Valakh M.Ya., Sadofyev Yu.G., Korsunska N.O., Semenova G.N., Strelchuk V.V., Borkovska L.V., Vuychik M.V., Sharibaev M. Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.– 2002.– V. 5, № 3.– P. 254-257.

4. Semenova G.N., Venger E.F., Valakh M.Ya., Sadofyev Yu.G., Korsunska N.O., Strelchuk V.V., Borkovska L.V., Papusha V.P., Vuychik M.V. Optical investigation of point defects on quantum dot CdSe/ZnSe interface // J. Phys.: Condens. Matt.– 2002.– V. 14.– P.13375-13380.

5. Валах М. Я., Стрельчук В. В., Артамонов В. В., Вуйчик М. В., Іванов С. В., Сорокін С. В., Шубіна Т. В. Фотолюмінесценція та комбінаційне розсіювання світла CdSe/ZnSe наноструктур // Фізичний збірник НТШ.– 2002.– T. 5.– C. 140-148.

6. Strelchuk V.V., Valakh M.Ya., Vuychik M.V., Ivanov S.V., Kop’ev P. S., Shubina T. V. High-efficient up-conversion of photoluminescence in in CdSe quantum dots grown in a ZnSe matrix // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.– 2002.– V. 5, № 4.– Р. 343-346.

7. Валах М.Я., Венгер Е.Ф., Садофьев Ю.Г., Корсунская Н.Е., Семенова Г.Н., Стрельчук В.В., Борковская Л.В., Вуйчик Н.В. Собственные структурные дефекты и антистоксовое излучение в многослойных CdSe/ZnSe структурах с квантовыми точками // Известия РАН: Серия физическая.– 2003.– Т. 67, № 2.– С. 215-218.

8. Valakh M.Ya., Korsunska N.O., Sadofyev Yu.G., Strelchuk V.V., Semenova G.N., Borkovska L.V., Artamonov V.V., Vuychik M.V. Anti-Stokes Photoluminescence and structural defects in CdSe/ZnSe nanostructures // Matter. Scie.&Eng. B.– 2003.– V. 101.– P.255-258.

9. Borkovska L.V., Valakh M.Ya., Venger E. F., Sadofyev Yu.G., Korsunska N.O., Strelchuk V.V., Semenova G.N., Vuychik M.V. Investigation of inhomogeneous broadening of CdSe/ZnSe nanoislands photoluminescence band by resonant excitation methods // Physica E.– 2003.– V. 17.– P. 93-94.

10. Валах М.Я., Вуйчик Н.В., Стрельчук В.В., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Иванов С.В., Копьев П.С. Низкотемпературная антистоксовая фотолюминесценция в CdSe/ZnSe наноструктурах // Физика и техника полупроводников.– 2003.–
    Т. 37, Вып. 6.– С.724-729.

11. Стрельчук В.В., Валах М.Я., Венгер Є.Ф., Садоф’єв Ю.Г., Корсунська Н.О., Семенова Г.М., Борковська Л.В., Вуйчик М.В. Компонентне змішування і механічні напруження в гетероструктурах CdSe/ZnSe з квантовими точками // Журнал фізичних досліджень. – 2003.- Т. 7, № 3.- С. 1-5.

12. Валах М.Я., Стрельчук В.В., Вуйчик Н.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Торопов А.А., Шубина Т.В. Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe наноструктурах // Фізика и техника полупроводников.– 2003.– Т. 37, Вып. 11.– С.1374-1379.

13. Стрельчук В.В., Кладько В.П., Валах М.Я., Мачулін В.Ф., Корчовий А.А., Гулє Є.Г., Коломис О.Ф., Masur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J. Дослідження самоіндукованих квантових точок в In_хGa_1-хAs/GaAs багатошарових наноструктурах // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2003. – Т. 1, № 1.– С. 309-327.

14. Кладько В.П., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Стрельчук В.В., Гудыменко А.И., Корчевой А.А. Рентгенодифракционные исследования 2D–3D структурных переходов в наноразмерных многослойных периодических структурах // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2003. – Т. 1, № 2.– С. 447-457.

15. Valakh M.Ya., Strelchuk V.V., Kolomys O.F., Hartnagel H.L., Sigmund J. Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.– 2003.– V. 6, № 3.– P. 287-293.

16. Валах М.Я., Семенова Г.Н., Садофьев Г.Ю., Стрельчук В.В. Резонансное антистоксовое и стоксовое КРС в CdSe/ZnSe наноструктурах // Физика твердого тела.– 2004.– Т. 46, Вып. 1.– С. 174-176.

17. Артамонов В.В., Байдулаева А., Власенко А.И., Вуйчик Н.В., Литвин О.С., Мозоль П.Е., Стрельчук В.В. Атомно-силовая микроскопия и рамановское рассеяние света лазерно индуцированного структурного разупорядочения на поверхности р-CdTe // Физика твердого тела. – 2004.– Т. 46, Вып. 8.– С. 1489-1493.

18. Kunets V.P., Kulish N.R., Strelchuk V.V., Nazarov A.N., Tkachenko A.S., Lysenko V.S., Lisitsa M.P. CdSSe quantum dots: effect of the hydrogen RF plasma treatment on exciton luminescence // Physica E.– 2004.– V. 22, № 4.– P. 804-807.

19. Стрельчук В.В., Валах М.Я., Литовченко В.Г., Sigmund J., Hartnagel H.L. Проявление межподзонных плазмон-фононных возбуждений и особенностей интерфейсов в спектрах КРС структур InAs/AlSb с квантовыми ямами // Известия РАН. Серия физическая. – 2004. –Т. 68, № 1. – С. 51-54.

20. Tomm J.W., Strelchuk V.V., Gerhardt A., Zeimer U., Zorn M., Kissel H., Weyers M. Properties of As⁺-implanted and annealed GaAs and InGaAs quantum wells and band-structure modifications // Journal Applied Physics – 2004. – V. 95, №3.– Р. 1122-1126.

21. Wang Zh.M., Mazur Yu.I., Salamo G.J., Lytvyn P.M., Strelchuk V.V., Valakh M.Ya. Persistence of (In,Ga)As quantum-dot chains under index deviation from GaAs(100) // Appl. Phys. Lett.– 2004.– V. 84, № 23.– P. 4681-4683.

22. Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс О.Ф., Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, M.Xiao, Salamo G.J. Резонансное КРС и АСМ многослойных InGaAs/GaAs наноструктур с квантовыми точками // Физика и техника полупроводников.– 2005.– Т. 39, Вып.1.– С. 140-144.

23. Lytvyn P. M., Prokopenko I. V., Strelchuk V. V., Mazur Yu. I., Wang Zh. M., Salamo G. J. Microsize defects in InGaAs/GaAs (N11)A/B multilayers quantum dot stacks // J. Crystal Growth.– 2005.– V. 284, № 1-2.– P. 47-56.

24. Strelchuk V.V., Kladko V.P., Valakh M.Ya., Yefanov O.M., Kolomys O.F., Gudymenko O.I., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Salamo G.J. Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.– 2005.– V. 8, № 1.– P.35-41.

25. Стрельчук В.В., Валах М.Я., Гуле Є.Г., Коломыс О.Ф., Лысиця М.П., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Salamo G.J. Модификация свойств многослойных наноструктур (In,Ga)As/GaAs с квантовыми нитями при термическом отжиге // Нано- и микросистемная техника. – 2005. – Т. 9. – C.10-18.

26. Strelchuk V.V., Lytvyn P.M., Lysytsya M.P., Valakh M.Ya., Kolomys O.F., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Radiation anisotropy and ordering effects inherent to quantum dots and wires in (In,Ga)As/GaAs nanostructures // Ukraine Journal Physics Optic – 2005. – V. 6, № 2.– Р. 78-82.

27. Mazur Yu. I., Wang Zh. M., Tarasov G.G., Wen H., Strelchuk V., Guzun D., Xiao M., Salamo G. J. Strong Optical nonlinearity in Strain-Induced Lateraly ordered In_0,4Ga_0,6As on GaAs (311)A Quantum Wires // Journal Applied Physics – 2005.– V. 98, № 5.– P. 53711-1 -53711-7.

28. Валах М.Я., Иванов С.В., Местрес Н., Паскуал Ж., Сорокин С.В., Стрельчук В.В., Шубина Т.В. КРС в сверхтонких квантовых структурах CdSe/ZnSe // Труды второго российско-украинского семинара “Нанофизика и наноэлекроника”.– Киев, 2000.– С. 69-70.

29. Shubina T.V., Valakh M.Ya., Strelchuk V.V., Toropov A.A., Sorokin S.V., Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Mestres N., Pascual J., Waag A., Landwehr G. Resonant Raman scattering and photoluminescence studies of CdSe-based nanostructures composition // The 10^th International Conference on II-VI Compound.– Bremen (Germany), 2001.– Р. Mo-P60.

30. Валах М.Я., Стрельчук В.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Сорокин С.В., Торопов А.А., Шубина Т.В., Вааг А., Ландвер Г. Эффекты компонентного смешивания в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света // Тезисы докладов. V Российская конференция по физике полупроводников, “ПОЛУПРОВОДНИКИ-2001”.– Нижний Новгород (Россия), 2001.– Т. 1.– С. 27.

31. Semenova G.N., Valakh M.Ya., Venger Ye. F., Sadofyev Yu.G., Korsunska N.O., Strelchuk V.V., Borkovska L.V., Vuychik M.V., Sharibaev M. Optical diagnostic of intermixing effects and strains in CdSe/ZnSe nanoisland structures // Abstracts of Expert Evolution Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies.– Budapest (Hungary), 2002.– Р. PO-F16.

32. Стрельчук В.В., Валах М.Я., Венгер Е.Ф., Садофьев Ю.Г., Корсунская Н.Е., Семенова Г.Н., Борковская Л.В., Вуйчик Н.В. Компонентное смешивание и механические напряжения в гетероструктурах CdSe/ZnSe с квантовыми точками // Тези доповідей “1-ої Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УКФН-1)”.– Одеса, 2002.– Т. 1.– С. 107.

33. Валах М.Я., Коломыс О.Ф., Стрельчук В.В., Юхимчук В.О. Спектроскопія КРС і фотолюмінесценція Si⁺-імплантованних шарів GaAs орієнтації (100) і (211) // Матеріали IX Міжнародної конференції „Фізика і технологія тонких плівок”.– Яремча (Україна), 2002.– Т. 2.– С. 37-38.

34. Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломис О.Ф., Литовченко В.Г., Харнагель H.L., Зигмунд Й. Резонансное КРС на межподзонных плазмон-фононных возбуждениях // Тези доповідей. IV Міжнародна школа-конференція “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”.– Дрогобич (Україна), 2003.– С. 125-126.

35. Artamonov V.V., Baidullaeva A., Vlasenko A.I., Vuychik M.V., Mozol’ P.O., Strelchuk V.V. Raman scattering and AFM investigation of nanoclusters formated on the surface of CdTe crystals by laser irradiation // XVI International Scholl-Seminar “Spectroscopy of Molecules and Crystals”.– Sevastopol (Ukraine), 2003.– Р. 103.

36. Strelchuk V.V., Valakh M.Ya., Vuychik M.V., Ivanov S.V., Kop’ev P. S., Shubina T. V. High-efficient up-conversion of photoluminescence in in CdSe quantum dots grown in a ZnSe matrix // 10-th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. Proceedings of SPIE.– 2003.– V. 5023.– P. 75-78.

37. Валах М.Я., Вуйчик Н.В., Лисица М.П., Стрельчук В.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Торопов А.А., Шубина Т.В. Влияние интердиффузии и структурных дефектов на оптические свойства СdSe/ZnSe наноструктур // Сборник тезисов Четвертого Международного украинско-русского семинара ”НАНОФИЗИКА и НАНОЭЛЕКТРОНИКА“.– Киев, 2003.– С. 12-13.

38. Feichuk P.I., Shcherbak L.P., Kovalenko M.V., Strelchuk V.V., Bryksa V.P., Kolomys O.F., Krylyuk S.G., Korbutyak D.V., Valakh M.Ya. Growth and optical properties of thiol-stabilized CdTe nanocrystals // Abstracts of The Fourteenth International Conference on Crystal growth in Conjunction with the twelth International Conference on Vapor Growth and Epitaxy.– Grenoble (France), 2004.– P. 194.

39. Strelchuk V.V., Feichuk P.I., Shcherbak L.P., Kovalenko M.V., Bryksa V.P., Kolomys O.F., Krylyuk S.G., Korbutyak D.V., Valakh M.Ya. Radiative electron-hole recombination and degradation process in thiol-stabilized CdTe nanocrystals // E-MRS 2004 FALL MEETING.– Warsaw (Poland), 2004.– P. 204-205.

40. Стрельчук В.В., Валах М.Я., Коломис О.Ф., Литвин П.М., Мачулін В.Ф., Masur Yu.I., Wang Z.M., Salamo G.J. Оптичні та АСМ дослідження самовпорядкування квантових точок в напівпровідникових InGaAs/GaAs структурах // Тези конференції ”Нанорозмірні системи. Електронна, атомна будова та властивості” (НАНСИС 2004).– Київ, 2004.– С. 315.

41. Крилюк С.Г., Фейчук П.І., Щербак Л.П., Стрельчук В.В., Брикса В.П., Коломис О.Ф., Корбутяк Д.В., Валах М.Я. Люмінесцентні дослідження колоїдних розчинів нанокристалів СdTe // Тези конференції. ІІ Українська Наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-2).– Чернівці-Вижниця (Україна), 2004.– Т. 1.– С. 140.

42. Панчук О.Е., Фейчук П.І., Щербак Л.П., Коваленко М.В., Крилюк С.Г., Стрельчук В. В. Кріомодифікація оптичних властивостей наночастинок СdTe // Тези доповідей. ”XI Українська конференція з неорганічної хімії”.– Ужгород, 2004.– С. 209.

43. Валах М.Я., Стрельчук В. В., Коломыс А.Ф., Литвин П.М., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Salamo G.J. Эффекты пространственного упорядочения в многослойных In_xGa_1-xAs/GaAs структурах с квантовыми точками и квантовыми нитями // Тезиcы докладов. Пятый международный российско-украинский семинар.– Санкт-Петербург (Роcсия), 2004.– С. 32-33.

44. Yefanov O.N., Kladko V.P., Gudumenko O.Y., Strelchuk V.V., Masur Yu.I., Wang Z.M., Salamo G.J. Investigation of deformation fields anisotropy in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires by HRXRD // Abstracts of E-MRS 2005 Fall Meeting.– Warsawa (Poland), 2005.– P. 21.

45. Валах М.Я., Стрельчук В. В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Анизотропия излучающих свойств и фононные спектры в пространственно-упорядоченных (In,Ga)As/GaAs наноструктурах // Сборник тезисов VI Международного украинско-российского семинара ”НАНОФИЗИКА и НАНОЭЛЕКТРОНИКА”.– Киев, 2005.– С. 111-112.

46. Валах М.Я., Стрельчук В. В., Коломыс А.Ф., Литвин П.М., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Эффекты латерального упорядочения (In,Ga)As квантовых точек и нитей в многослойных (In,Ga)As/GaAs структурах на подложках ориентаций (100) и (N11) // Материалы совещания. ”Нанофотоника”, Інститут физики микроструктур.– Нижний Новгород (Россия), 2005.– С. 114-115.

47. Krylyuk S.G., Strelchuk V.V., Kalytchuk S.M., Korbutyak D.V., Valakh M.Ya., Khalavka Y.B., Feichuk P.I., Shcherbak L.P. Luminescence studies of heat treatment influence on size distribution of CdTe nanocrystals // Abstracts of 12^th International Conference on II-VI Compounds.– Warsaw (Poland), 2005.– P. 191.