515. Лях-Кагуй Наталія Степанівна. Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-xGex і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації: дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2004. , табл.
Анотація до роботи:
Лях-Кагуй Н.С. “Низькотемпературні характеристики ниткоподібних кристалів Si1-хGeх і їх застосування для створення елементної бази сенсорів температури та деформації”. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 - твердотільна електроніка. – Національний університет “Львівська політехніка”. Львів, 2004.
Дисертація присвячена створенню елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх. Проведено дослідження щодо одержання монокристалів Si1-хGeх (х = 0,010,11) із прогнозованими параметрами (ступінь легування, вміст германію, морфологія, геометричні розміри) для створення елементної бази сенсорів і вивчення впливу магнетного поля на їх характеристики. Наведено результати досліджень п’єзорезистивних і термоелектричних властивостей ниткоподібних кристалів Si1-хGeх в області низьких температур, а також визначено механізми перенесення носіїв заряду для різних інтервалів температур і ступенів легування вихідного матеріалу. Розроблено оригінальну методику визначення коефіцієнта термо-ЕРС ниткоподібних кристалів в інтервалі температур (4,2200 К). Дано рекомендації щодо використання ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх як чутливих елементів низькотемпературних сенсорів фізичних величин.
На основі ниткоподібних кристалів створено елементну базу надчутливих сенсорів деформації з широким робочим діапазоном, працездатних в області низьких температур. Вивчення терморезистивних і термоелектричних властивостей ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх дозволило створити на їх основі елементну базу сенсорів температури для кріогенного інтервалу. Досліджено вплив магнетного поля як дестабілізуючого фактора роботи низькотемпературних сенсорів.
Публікації автора:
Druzhinin A., Ostrovskii I., Lavitska E., Liakh N., Palewski T. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures // Proc. SPIE. – 2003. – Vol. 5136. – P. 243–248.
Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Миниатюрные сенсоры температуры на основе нитевидных кристаллов Si-Ge // Термоэлектричество. – 2003. – № 2. – С. 58–63.
Буджак Я.С., Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Термоэлектрические єффекты в нитевидных кристалах германия // Термоэлектричество. – 2003. – № 1. – С. 37–42.
Варшава С.С., Лях Н.С., Стасюк Н.М. Нелінійні ефекти в точкових контактах метал-кремній, метал-кремній-германій // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – Т. 2, № 4. – С. 727–734.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 3. - С. 485–490.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Термометри на основі ниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур // Вимірювальна техніка і метрологія. – 2003. – № 63. – С. 89–95.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С.. Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик // Вісн. НУ “Львівська політехніка”, “Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки”. – 2002. – № 454. – С. 3–7.
Дружинін А.О., Лавитська О.М., Островський І.П., Лях Н.С. Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si // Вісн. НУ “Львівська політехніка”, “Електроніка”. – 2002. – № 455. – С. 126–133.
Druzhinin A.O., Ostrovskii I.P., Liakh N.S. Design of Photoelectric Convertors on the Basis of Si-Ge Solid Solutions // Вісн. НУ “Львівська політехніка”, “Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки”. – 2002. – № 458. – С. 52–55.
Варшава С.С., Лях Н.С., Стасюк Н.М. Нелінійні ефекти в точкових контактах метал-кремній, метал-кремній-германій // VIII Міжнарод. конференція з фізики і технології тонких плівок, Матеріали конференції. – Івано-Франківськ. – 2001. – C. 104–105.
Tsmots V.M., Ostrovskii I.P., Lyach N.S., Druzhinin A.O. Perculiarities of magnetic properties of Si whiskers / /E-MPRS 2002 Sping Meeting. – Strasbourg (France). – 2002. – P. 41.
Druzhinin A., Ostrovskij I., Lavitska E., Liakh N., Palewski T. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures // Intern. conference on solid state crystals. – Zakopane (Poland). – 2002. – P. 142.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si // Матер. ІХ Міжнарод. конференції МКФТТП-ІХ “Фізика і технологія тонких плівок”. Том 2. – Івано-Франківськ. – 2003. – С. 148–149.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С.М. Термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів Si-Ge // IV Міжнарод. школа-конференція “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. – Дрогобич. – 2003. – С. 146.
Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Liakh N.S. Magnetoresistance of Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insulator transition // Book of Abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. –Warshawa (Poland). – 2003. – P.145.
Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Термометри на основі ниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур // Тези доповідей. VIII Міжнародна конференція “Температура-2003”. – Львів. – 2003. – С. 92.
Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Нитевидные кристаллы Si-Ge для измерения уровней деформации при низких температурах // Труды 4-ой Международ. науч.-техн. конф. “Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе”. –Баку-Сумгаит (Азербайджан). – 2003. – С. 58–59.
Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh. GexSi1-x whiskers for strain measurements // Materialy VIII Konferencja Naukowa Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne. – Wroclaw (Poland). – 2004. – S. 409–412.
Заявка № 2004042607 від 01.06.2004. Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів. / Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С. М.
Заявка № 20040504001 від 01.07.2004. Сенсор температури. / Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С. М.