Анотація до роботи:

Воробець О.І. Модифікація властивостей бар’єрних структур метал – халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2007.

У дисертації представлено результати досліджень впливу малопотужного імпульсного лазерного опромінення на кінетику фізико-хімічних процесів у твердій фазі та електрофізичні параметри і характеристики поверхнево-бар’єрних структур метал – халькогенідний напівпровідник А²В⁶, А³В⁶, А⁴В⁶, зокрема Au–n-CdTe, Pt–p-CdTe:Cl, In–p-CdTe:As, Au(Al)–n-In₄Se₃, Au(Al)–p-PbTe, Au–n-CdZnTe, Au(Al)–p-PbSnTe.

Показано, що в структурах типу метал–CdTe модифікація електрофізичних характеристик при оптимальних режимах лазерного опромінення обумовлена змінами домішково-дефектної системи в області просторового заряду напівпро-відника і пояснюється зміною густини дислокацій, антиструктурних дефектів Te_Cd і точкових дефектів V_Cd, Cd_i та V_Te. При дозах опромінення D11,8кДж/см² у перехідному шарі контактів формуються збагачені Te кластери, які можуть гетерувати точкові дефекти, що зумовлює зменшення генераційно-рекомбінаційного та збільшення польового механізмів протікання струму.

Лазерне опромінювання інтенсивністю 2030 кВт/см² з l=1,06 мкм в режимі модульованої добротності дозволяє сформувати на високоомних кристалах p-CdTe:Cl якісні бар’єрні структури Pt–p-CdTe:Cl з j_b=0,84еВ і коефіцієнтом ідеальності n»1,06, в яких основним є надбар’єрний механізм протікання струму.

У структурах Al(Au)–In₄Se₃, Al(Au)–Pb_0,88Sn_0,12Te модифікація електрофізичних характеристик обумовлена зміною складу хімічної сполуки приконтактного шару (In₄Se₃In₂SeInSe) або стехіометрії твердого розчину (Pb_1-xSn_xTePbTe).

Публікації автора:

1. Горлей П.М., Воробець Г.І., Воробець О.І., Ульяницький К.С., Хом’як В.В. Вплив імпульсного лазерного випромінювання на детектуючі властивості контактів Pt-p-CdTe:Cl з бар’єром Шотткі// Український фізичний журнал. – 2006. – Т. 51, №8. – С.795-799.

2. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Strebejev V.N. Laser manipulation of clusters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors// Applied Surface Science. – 2005. – 247. – P.590-601.

3. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P., Shkavro A.G. Aging and degradation of aluminum-silicon structures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation// Functional materials. – 2003. – Vol. 10, №3. – P.468-473.

4. Воробець Г.І., Воробець О.І., Добровольський Ю.Г. Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі високоомного телуриду кадмію. Деклараційний патент на корисну модель (Україна), №17438.

5. Горлей П.М., Воробець Г.І., Воробець О.І., Воропаєва С.Л. Пристрій для автоматизації оптичних досліджень бар’єрних структур на основі напівпровідникових сполук А²В⁶, А³В⁵// Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Фізика. – 2004. – №6 – С.40-42.

6. Воробец А.И., Воробец Г.И, Мельничук С.В. Оптимизация аппаратно-программного обеспечения для автоматизации спектрофотометра СФ-20// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2006. – №2. – С.19-22.

7. Горлей П.М., Воробець Г.І., Воробець О.І. Шістнадцятирозрядний аналогово-цифровий перетворювач сигналів для шини ISA IBM PC// Науковий вісник Чернівецького університету: Зб. наук. пр.: Фізика. Електроніка. – 2002. – Вип.133. – С.109-112.

8. Gorley P.M., Vorobets G.I., Vorobets O.I., Voropaeva S.L. Automation of researches of optical performances of barrier structures on the basis of binary and threefold semiconductor linkings// Fourth International Young Scientists Conference “Problems of Optics and High Technology Material Science (SPO 2003)”. – Kyiv (Ukraine), 2003. – Р.88.

9. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P. Aging and degradation of the metal-semiconductor structures after a pulse laser irradiation// Third International Young Scientists Conference “Problems of Optics and High Technology Material Science (SPO 2002)”. – Kyiv (Ukraine), 2002. – Р.156.

10. Horley P.M., Vorobets G.I., Vorobets O.I., Ulyanitskyi K.S., Homyak V.V. Influence of a pulse laser irradiation on the charge transfer mechanisms in Pt(Al,Au)-CdTe structures with a Schottky barrier // 12^th International Conference on II-VI Compounds. – Warsaw (Poland), 2005. – Р.247.

11. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Strebejev V.N. Laser manipulation of clusters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors// Abstr. E-MRS 2004 Spring Meeting (Symposium N, N-IX.I) – Strasbourg (France), 2004.

12. Воробец Г.И., Воробец А.И., Мельничук Т.А., Стребежев В.Н. Влияние лазерной обработки на свойства барьерных структур на основе монокристаллов In₄Se₃// ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) (УНКФН-2). – Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. – Т.2. – С.46-47.

13. Воробець Г.І., Воробець О.І., Микитюк В.І., Мельничук Т.А., Стрєбєжев В.М. Особливості міжфазної взаємодії при лазерному опроміненні систем метал-твердий розчин Pb_1-xSn_xTe, (In₄Se₃)_1-xTe_3x// ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) (УНКФН-2). – Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. – Т.2. – С.49-50.

14. Хом’як В.В., Ілащук М.І., Ульяницький К.С., Орлецький І.Г., Воробець О.І. Механізми перенесення струму у поверхнево-бар’єрних структурах Pt/n-CdTe // ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) (УНКФН-2). – Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. – Т.2. – С.176.

15. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Melnychuk T.A., Strebejev V.N. Laser synthesis, nanostructuring and manipulation of phase composition of superficially-barrier systems and heterojunctions on the basis of monocrystals A²B⁵, A³B⁶// Abstr. E-MRS 2005 Spring Meeting (Symposium J, J/P1.12). – Strasbourg (France), 2005. – P.J-4/19.

16. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P. Theoretical simulation of features of the heat and mass transfer in multilayer structures a metal – semiconductor at a pulse laser irradiation// Fifth International Young Scientists Conference “Problems of Optics and High Technology Material Science (SPO 2004)”. – Kyiv (Ukraine), 2004. – Р.162.

17. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P., Tanasyuk Yu.V. Modeling of charge transfer mechanisms in Au-CdTe structures after pulse laser irradiation// Seventh International Young Scientists Conference “Optics and High Technology Material Science (SPO 2006)”. – Kyiv (Ukraine), 2006. – P.90.

18. Воробець О.І., Воробець Г.І., Мельничук Т.А., Стребежев В.М., Ульяницький К.С. Вплив лазерного опромінення на фізичні процеси на границі розділу і бар’єрні властивості структур плівка металу – CdZnTe, CdMnTe// Х Міжнародна конференція “Фізика і технологія тонких плівок (МКФТТП-Х)”. – Івано-Франківськ (Україна), 2005. – С.175-176.

19. Горлей П.Н., Воробец А.И., Воробец Г.И., Ульяницкий К.С. Коррекция параметров детектирующих контактов In–туннельно-тонкий диэлектрик–CdTe–Au импульсным лазерным излучением// Труды седьмой Международной научно-практической конференции „Современные информационные и электронные технологии”. – Одесса (Украина), 2006. – Т.2. – С.145.

20. Vorobets G.I., Vorobets O.I., Strebegev V.N., Tanasyuk Yu. V. Laser gettering of structural - impurity defects in the metal - intrinsic CdTe contacts with a Schottky barrier// Abstr. E-MRS 2007 Spring Meeting (Symposium P, Р/Р3 22). – Strasbourg (France), 2007. – P.P-14.

21. Горлей П.М., Воробець О.І., Воробець Г.І., Стребежев В.М., Обедзинський Ю.К. Структурні зміни в оксидних та металевих плівках на поверхні монокристалів CdTe, зумовлені дією лазерного опромінення// Матеріали XI Міжнародної конференції „Фізика і технологія тонких плівок та наносистем”. – Івано-Франківськ (Україна), 2007. – Т.1. – С.126.