Анотація до роботи:

Олійник С.В. Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd_1-хZn_хTe для електронної техніки. – Рукопис.

Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2008.

Робота присвячена розробці наукових основ технології післяростової модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd_1-хZn_хTe для електронної техніки.

Дослідження частотних і температурних залежностей діелектричних сталих кристалів дозволило встановити, що одним з основних чинників модифікації їх властивостей є еволюція внутрішніх полів, яка залежить від орієнтації дії зовнішніх чинників відносно системи двовимірних дефектів структури. Це підтверджено дослідженням полікристалів ZnSe.

Встановлено, що в основу вищезазначеної технології можуть бути покладені циклічний нагрів і дія малих доз іонізуючого випромінювання, а також розроблені методи вимірювання електрофізичних параметрів кристалів. Можливості технології розширює легування кристалів ZnSe домішкою Cr за умови формування в них системи двовимірних дефектів структури.

В результаті виконаних в роботі комплексних досліджень досягнуто поставленої мети – розроблено наукові основи технології післяростової модифікації електрофізичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd_1-xZn_xTe для електронної техніки. Найбільш важливі наукові та практичні результати досліджень можна сформулювати у вигляді наступних узагальнених висновків:

1. На підставі аналізу технологічних чинників та умов росту, які визначають структурну досконалість, електрофізичні і фотоелектричні властивості вирощуваних з розплаву кристалів A^IIB^VI, показана актуальність розробки технології післяростової модифікації цих властивостей кристалів як складової виробництва електронних приладів.

2. З використанням розроблених методів вимірювання електрофізичних параметрів кристалів показано, що визначальна роль в післяростовій модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe належить системі двовимірних дефектів структури і пов'язаним з ними пружним та електричним полям.

3. Встановлено, що анізотропія електрофізичних властивостей кристалів ZnSe, які містять систему двовимірних дефектів структури, забезпечує використання їх в якості сенсорів фізичних величин, що характеризуються сильною залежністю діелектричних сталих від частоти електричного поля, температури і кристалографічного напряму.

4. Показано, що легування Cr зразків ZnSe з системою двовимірних дефектів структури розширює можливості технології післяростової модифікації їх електрофізичних властивостей для потреб електронної техніки. Вплив домішок Cr на електрофізичні властивості кристалів пояснено взаємодією домішкових атомів з власними і двовимірними дефектами структури, яка, у свою чергу, пов'язана з технологічними умовами росту кристалів.

5. Встановлено, що в основу технології післяростової модифікації електрофізичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і
   Cd_1-xZn_xTe для електронної техніки можуть бути покладені циклічний нагрів і дія малих доз іонізуючого випромінювання, які зумовлюють зміни дефектної структури, внутрішніх пружного і електричних полів без деградації властивостей кристалів.

6. Запропоновано методику контролю придатності кристалів Cd_1-xZn_xTe для дозиметрії іонізуючих випромінювань, яка базується на вимірюванні розподілу фотопровідності за довжиною хвилі світла.

Публікації автора:

1. Олейник С.В., Ром М.А., Чугай О.Н. Анализ сложных частотних зависимостей диэлектрических потерь // Вісті академії інженерних наук України. – 2004. – № 4(24). – С. 167 – 171.

2. Ryzhikov V., Starzinskiy N., Chugai O., Migal V., Komar V., Katrunov K., Oleinik S., Zenya I. Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy // Functional Materials. – 2004. – Vol. 11, № 3. – P. 563 – 566.

3. Ryzhikov V., Starzinskiy N., Chugai O., Seminozhenko V., Migal V., Komar V., Klimenko I., Katrunov K., Abashin S., Oleinik S., Sulima S., Zenya I. Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of A^IIB^VI crystals // Functional Materials. – 2004. – Vol. 11, № 3. – P. 567 – 570.

4. Chugai O., Ryzhikov V., Starzinskiy N., Oleynik S., Katrunov K., Zenya I. Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals // Functional Materials. – 2004. –
   Vol. 11, № 4. – P. 684 – 688.

5. Герасименко А.С., Комарь В.К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П.,
   Олейник С.В., Сулима С.В., Чугай О.Н. Оперативное определение качества кристаллов для детекторов g–излучения по фотопроводимости // Неорганические материалы. – 2005. – Том 41, № 3. – С. 1 – 4.

6. Олейник С.В., Чугай О.Н. Термодеполяризация естественно поляризованных поликристаллов селенида цинка // Письма в ЖТФ. – 2006. – Том 32, № 16. – С. 56 – 61.

7. Пат. 65426А Україна, МКИ 7 G 01 N 13/10. Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику / Олійник С.В., Чугай О.М., Комар В.К., Мигаль В.П., Пузіков В.М., Сулима С.В. (Укр.); Національний аерокосмічний університет
   ім. М.Є. Жуковського «ХАІ», Науково – дослідне відділення «Оптичні та конструкційні кристали» Науково-технологічного концерну «Інститут монокристалів» Національної академії наук України; Заявлено 01.09.2003; Опубл. 15.03.2004; Бюл. № 3.

8. Рыбалка И.А., Олейник С.В. Исследование вольт-емкостных характеристик систем металл-полупроводник-металл на основе легированных кристаллов ZnSe // Матеріали міжнародної науково – технічної конференції «Інформаційні комп’ютерні технології в машинобудуванні, ІКТМ’2002». – Харків: Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського «ХАІ», 2002. – С. 162.

9. Олейник С.В., Мазилов А.А., Чугай О.Н. Изменения спектрального распределения фотодиэлектрического эффекта в кристаллах ZnSe и CdZnTe, индуцированные -излучением // Матеріали міжнародної науково – технічної конференції «Інтегровані комп’ютерні технології в машинобудуванні, ІКТМ’2003». – Харків: Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського «ХАІ», 2003. – С. 217.

10. Ryzhikov V.D., Starzinskiy N.G., Migal V.P., Chugai O.N., Abashin S.L., Katrunov K.A., Klimenko I.A., Oleinik S.V., Sulima S.V. Studies of photoactive states of ZnSe-based scintillators by scanning photodielectric spectroscopy // Proceedings of International conference “Functional materials” ICFM – 2003 (October 6 – 11, 2003). – Partenit (Crimea, Ukraine), 2003. –
    P. 136.

11. Ryzhikov V.D., Starzinskiy N.G., Migal V.P., Chugai O.N., Komar V.K., Klimenko I.A., Katrunov K.A., Abashin S.L., Oleinik S.V., Sulima S.V., Rybalko I.A., Zenya I. Radiation – induced changes in dielectric and photoelectric properties of A^IIB^VI crystals // Proceedings of International conference “Functional materials” ICFM – 2003 (October 6 – 11, 2003). – Partenit (Crimea, Ukraine), 2003. – P. 137.

12. Олейник С.В., Ром М.А., Чугай О.Н. Анализ сложных частотних зависимостей диэлектрических потерь // Материалы XIV международной конференции «Новые технологии в машиностроении» (3 – 8 сентября 2004 г.). – Харьков–Рыбачье, 2004. – С. 25.

13. Олейник С.В., Сулима С.В, Чугай О.Н. Влияние одноосного сжатия на температурные зависимости диэлектрических постоянных кристаллов ZnSe:Cr // Матеріали міжнародної науково – технічної конференції «Інтегровані комп’ютерні технології в машинобудуванні, ІКТМ’2004». – Харків: Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського «ХАІ», 2004. – С. 315.

14. Комарь В.К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П., Олейник С.В., Сулима С.В., Чугай О.Н. Кристаллы ZnSe с двумерными дефектами структуры как материал сенсоров физических величин // Материалы 6^й международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» СИЭТ – 2005 (23 – 27 мая 2005). – Одесса, 2005. – С. 356.

15. Наливайко Д.П., Олейник С.В., Сулима С.В., Чугай О.Н. Обобщенное представление диэлектрических спектров в комплексной плоскости // Матеріали міжнародної науково – технічної конференції «Інтегровані комп’ютерні технології в машинобудуванні, ІКТМ’2005». – Харків: Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського «ХАІ», 2005. – С. 331.

16. Бурлеев О.Л., Комарь В.К., Наливайко Д.П., Олейник С.В.,
    Сулима С.В., Чугай О.Н. Пространственное распределение электрофизических параметров в кристаллическом слитке ZnSe, легированном Cr // Материалы 7^й международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» СИЭТ – 2006 (22 – 26 мая 2006). – Одесса, 2006. – Том 2. – С. 106.