Анотація до роботи:

Володимир Мотущук. Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових CdTe діодних структурах. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2005.

У дисертації представлено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію.

Досліджено механізми переносу заряду в тонкоплівкових Au-CdTe діодах Шотткі на металевій підкладинці та CdS/CdTe гетероструктур на скляній підкладинці. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Розходження експериментальної та теоретичної кривих при значних прямих напругах зумовлене внеском надбар’єрного струму в рамках моделі дифузійного наближення.

Проаналізовано вплив втрат, зумовлених рекомбінацією в області просторового заряду та поверхневою рекомбінацією, на ефективність збирання заряду у фотовольтаїчній структурі, сформульовано вимоги до електропровідності матеріалу фотоперетворювача.

Досліджено спектри чутливості фотовольтаїчних структур на основі CdTe. Проведено їх розрахунок виходячи з моделі, що враховує дрейфову та дифузійну складові струму, а також поверхневу рекомбінацію. Варіюванням параметрів матеріалу (концентрації некомпенсованих домішок і часу життя носіїв) досягнуто пояснення експериментальних спектрів фоточутливості діодних структур різного типу.