Анотація до роботи:

Гомоннай О.В. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України, Київ, 2004.

Дисертацію присвячено встановленню основних закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних та халькогенідних кристалів, зокрема й нанокристалів, а також вивченню фізичних процесів, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення. Виявлені індуковані високоенергетичними електронами ефекти розупорядкування кристалічної гратки та зміни процесів оптичного поглинання і випромінювальної рекомбінації в монокристалах GaP, CdS_1-xSe_x. З’ясовані особливості фононних спектрів халькогенідних нанокристалів (CdS_1–xSe_x, Sn₂P₂S₆). Вивчені процеси оптичного поглинання в опромінених високоенергетичними електронами нанокристалах CdS_1-xSe_x у матриці боросилікатного скла, встановлений характер і механізм радіаційно індукованих змін. Отримані нанокристали Sn₂P₂S₆, в тому числі вкрапленими у діелектричні матриці, та з’ясовано вплив розмірного фактору та високоенергетичного електронного опромінення на параметри фазового переходу.