Анотація до роботи:

Стовповий М.О. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів основі GaAs.– Рукопис.

Дисертація на здобуття ученого ступеня кандидата технічних наук за фахом 05.27.06 – технологія, обладнання і виробництво електронної техніки. - Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної Академії наук України, Київ, 2005.

Дисертація присвячена розробці та дослідженню термостійких омічних і бар'єрних контактів для НВЧ приладів.

У роботі показано, що системи металізації Au-AuGe та Au-Ti для омічних і бар'єрних контактів відповідно, які широко застосовуються в мікроелектроніці, є термостійкими лише до 350 єС, що пов'язано з дифузійними процесами та міжшаровими взаємодіями в контактах. Запропоновані та досліджені системи металізації Au-TaN_x(TiB_x)-AuGe і Au-TiN_x(TiB_x) для омічних і бар'єрних контактів відповідно можуть стабільно працювати при температурах до 550 С без зміни електрофізичних параметрів. Використання таких контактів дозволяє створення напівпровідникових приладів підвищеної надійності.

Проведено дослідження омічних контактів для гетероструктурних (GaAs-AlGaAs) польових транзисторів. Експериментально визначений критерій оптимальності технології і досліджена радіаційна стійкість таких контактів. Запропоновано методику контролю техпроцесу. Показано, що після впливу -радіації у діапазоні доз (2-3)10⁷ Р спостерігається поліпшення параметрів омічного контакту таких приладів.

1. Показано, що ріст плівки титану на реальній поверхні арсеніду галію проходить у два етапи: на першому утворюється тонка (~ 25 Е) плівка монооксида титану, а на другому – ріст полікристалічної плівки титану, характерною рисою якої є наявність пор. Пори, що пронизують плівку титану, приводять до низкої термо- і радіаційної стійкості таких контактів

2. Розроблено технологію отримання термостійких до 550 С омічних і бар'єрних контактів для НВЧ діодів, ПТШ та ІС з використанням антидифузійних шарів TiB_x, TiN_x, що дозволяє створювати напівпровідникові прилади підвищеної надійності.

3. Результати проведених досліджень дозволяють оптимізувати технологію омічних контактів НЕМТ на основі GaAs-AlGaAs.

4. Запропоновано просту методику контролю технологічного процесу омічних контактів НЕМТ.

5. На основі проведених досліджень визначено діапазон доз опромінення g-квантами Co⁶⁰ - (2-3)10⁷ Р, у якому спостерігається зменшення питомого контактного опору омічних контактів до структури GaAs-AlGaAs.

Публікації автора:

1. Крещук А.М., Лаурс Е.П., Новиков С.В., Савельев И.Г., Семашко Е.М., Стовповой М.А., Шик А.Я. Инвертированная гетероструктура InP/In_0.53Ga_0.47As для полевого транзистора // Физика и техника полупроводников.- 1990.- Т. 24.- Вып. 6.-C. 1145-1147.

2. Осинский В.И., Стовповой М.А. Исследование планарных контактов к квантоворазмерным нанослоям гетероструктур n-GaAs - n-GaAs – n-GaAlAs – n⁺-GaAlAs - n⁺-GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. -1995. -Вып. 29.- C. 18-24.

3. Конакова Р.В., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Статов В.А., Стовповой М.А. Ренгевич А.Е., Тариелашвили Г.Т. Влияние радиации на вольтамперные характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки // Изв. вузов. Радиоэлектроника.- 1999.- № 4.- C. 73-76.

4. Босый В.И., Иващук А.В., Ковальчук В.Н., Ильин И.Ю., Конакова Р.В., Соловьев Е.А., Стовповой М.А., Ренгевич А.Е., Тариелашвили Г.Т. Полевые транзисторы с барьером Шоттки при криогенных температурах // Петербургский журнал электроники.- 2000.- Вып. 1(22).- C. 52-55.

5. Конакова Р.В., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Статов В.А., Стовповой М.А., Ренгевич А.Е., Прокопенко И.В., Тариелашвили Г.Т. Влияние - радиации ⁶⁰Со на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ // Изв. вузов. Радиоэлектроника.- 2000.- № 6.- C. 45-52.

6. Стовповой М.А Омические контакты для полевых транзисторов на гетероструктуре GaAs-GaAlAs // Физика и химия обработки материалов.- 2000.- № 6. -C.64-66.

7. Венгер Е.Ф., Войциховский Д.И., Конакова Р.В., Миленин В.В., Стовповой М.А. Влияние активных воздействий на формирование и деградацию контактных структур // Петербургский журнал электроники.- 2001.- Вып. 3.– C. 10-27.

8. Konakova R.V., Milenin V.V., Stovpovoj M.A. Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2002.- Vol. 5.- № 2.- Р. 180-182.

9. Иванов В.Н., Конакова Р.В., Миленин В.В., Стовповой М.А. Контактообразующие плёнки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 2002.- № 6.-С. 54-56.

10. Конакова Р.В., Миленин В.В., Стовповой М.А. Влияние - облучения на характеристики омических контактов полевых транзисторов на основе гетероструктуры GaAs-AlGaAs // Петербургский журнал электроники.- 2002.- Вып. 4(33).- С. 18 22.

11. Конакова Р.В., Миленин В.В., Стовповой М.А. Физико технологические аспекты создания омиических контактов для НЕМТ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 2003.- Вып.38.- С. 172-186.

12. Ivanov V.N., Konakova R.V., Milenin V.V., Stovpovoj M.A. Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2003.- Vol. 6.- № 3.- P. 311-315.

13. Способ изготовления омического контакта к полупроводниковому соединению А³В⁵ с проводимостью n- типа: А.с. №299219 СССР МКИ HOI L21/30. Босый В.И., Иващук А.В., Кохан В.П., Стовповой М.А.

14. Кохан В.П., Рыжакова Л.К., Ренгевич А.Е., Стовповой М.А. Малошумящие СВЧ полевые транзисторы // Материалы 9-й международной Крымской микроволновой конференции.- Севастополь: Вебер.- 1999.- С. 64-65.

15. Конакова Р.В., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Статов В.А., Стовповой М.А., Ренгевич А.Е. Радиационное дефектообразование в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с барьером Шоттки // Материалы третьей международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом».- Минск.- 1999.- С. 116-118.

16. Ильин И.Ю., Конакова Р.В., Миленин В.В.,Соловьев Е.А., Стовповой М.А., Ренгевич А.Е., Приходенко В.И. Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки // Материалы XIV международной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению.- Алушта.- 2000.- С. 335-336.

17. Стовповой М.А. Полупроводниковые планарные резисторы для МИС // Материалы 10-й международной Крымской микроволновой конференции «СВЧ – техника и телекоммуникационные технологии». -Севастополь: Вебер.- 2000.- С. 448-449.

18. Конакова Р.В., Миленин В.В., Ренгевич А.Е, Стовповой М.А. Радиационная стойкость омических контактов полевых транзисторов на основе гетероструктуры GaAs-AlGaAs // Материалы 11-й международной конференции «СВЧ – техника и телекоммуникационные технологии».- Севастополь: Вебер.- 2001.- с. 434-436.

Анотацiя