Анотація до роботи:

Дремлюженко С.Г. Фізико-хімічні аспекти одержання сплавів та обробки поверхні напівпровідників CdSb, CdTe і твердих розчинів на їх основі. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 – хімія твердого тіла. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2009.

Дисертацію присвячено фізико-хімічному дослідженню властивостей CdSb, CdTe, їх твердих розчинів; особливостям процесів травлення та отримання високоякісної полірованої поверхні; дослідженню стабільних металічних та оптичних плівкових покриттів на поверхні CdSb.

На основі експериментальних даних термографічного дослідження полікристалів і монокристалів CdSb запропоновано пояснення появи ендотермічних ефектів в області температури плавлення сполуки. Ефект при Т ~ 723 К характерний тільки для термограм знятих на зразках синтезованих і вирощених в умовах де відбулось порушення стехіометричного складу кристалів і не є фіксованим. Ефект при Т = 729 К відповідає плавленню CdSb по типу напівпровідник – напівпровідник. Ендотермічний ефект при температурі Т ~ 737 К відповідає переходу розплаву в металічний.

Комплексом фізико-хімічних досліджень систем CdSb-As, CdSb-FeSb встановлено, що характер взаємодії в цих системах евтектичного типу. Експериментально вперше отримана аномальна залежність мікротвердості від складу кристалів твердого розчину Cd_1-xMn_xTe, на якій спостерігається два характерні максимуми при х₁ = 0,14 та х₂ = 0,46.

Виконані термодинамічні розрахунки і побудовані діаграми Пурбе систем CdSb - H₂O, MnTe - H₂O, ZnTe - H₂O, Cd_1-xMn_xTe - H₂O і Cd_1-хZn_xTe - H₂O. На підставі аналізу діаграм Пурбе і потенціометричних досліджень запропоновано механізм поліруючого травлення кристалів CdSb, CdTe та твердих розчинів на його основі в лужних композиціях SiO₂ і Br/CH₃OH травнику.

Після хімічної поліровки зразків CdTe, Cd_xZn_1-xTe, Cd_xMn_1-xTe в Br/CH₃OH товщина окисного шару становить 13 30 нм; в розчині на основі K₂Cr₂O₇ - 19,5 39 нм, після хіміко-механічної поліровки – 6,57 нм. Хімічне полірування в розчинах Br/CH₃OH та травниках на основі K₂Cr₂O₇ носить виражений селективний характер з утворенням збагаченого телуром приповерхневого шару.

Розроблена технологія нанесення металізуючих покриттів на підкладки CdSb з попередньою хіміко-механічною поліровкою поверхні лужними розчинами на основі колоїдного SiO₂. Така обробка забезпечує стабільність оптикного покриття при термоциклюванні в межах 370 77 К при кількості термоциклів 1000. Це дозволило застосувати розроблені двоканальні фільтри для в охолоджуваних фотоприймальних пристроїв ІЧ-техніки, де потрібно забезпечити високу швидкодію при виході на робочий режим.