Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова

Для получения информации по диссертации оформите заявку

*Фамилия:
*Имя Отчество:
*email:
Телефон:
*Страна:
* - Поля обязательные для заполнения

Анотація до роботи:

Катеринчук В.М. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова. – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2008.

У дисертації представлені результати досліджень різних типів гетеропереходів (ГП) на основі напівпровідників із шаруватою кристалічною будовою (GaSe, GaTe, InSe, SnS₂і інші), що вирізняються радіаційною стійкістю. Показано, що усунення впливу неузгодженості кристалічних ґраток на діодні властивості ГП може бути досягнено шляхом застосування на гетеромежі ван-дер-ваальсівського зв’язку двох напівпровідників або ж їх власних оксидів. Установлено, що фотоелектричні параметри ГП можуть бути істотно змінені завдяки використанню тандемних систем наноструктурована плівка–ГП. В ГП з високим значенням потенціального бар’єра виявлено присутність інверсійного шару за рівноважних умов. Показано, що існування в ГП значних розривів енергетичних зон і наявність тунельного діелектрика на гетеромежі можуть ефективно бути використані для реалізації явищ внутрішнього зростання фото-ерс, внутрішнього підсилення фотоструму, одержання спадної ділянки на прямій гілці вольт-амперної характеристики (ВАХ), аналогічної до ВАХ тунельних діодів. В ГП вироджений напівпровідник (ITO, власні оксиди InSe та In₄Se₃)–шаруватий кристал, залежно від висоти бар’єра, виявлені властивості, характерні як для інжекційних діодів на неосновних носіях заряду, так і для діодів Шотткі на основних носіях. Металева провідність власного оксиду InSe та можливість сколювати кристалічні підкладки мікронної товщини дозволили сформувати фотогетеротранзистор з тонкою базою, що вирізняється простою технологією виготовлення. Локалізація площини p-n–переходу відносно різних кристалографічних осей анізотропних кристалів дозволила сформувати ГП, фоточутливі до поляризованого світла. Встановлено закономірності, пов’язані з впливом високоенергетичної радіаціїї (Х-, g-промені) на властивості ГП: поліпшення їх фотоелектричних параметрів відбувається при невисоких дозах опромінення, а стабілізація цих параметрів – при більш високих.

Публікації автора:

Manasson V.A., Kovalyuk Z.D., Drapak S.I., Katerinchuk V.N. Polarisation-sensitive photodiode for the 632,8 nm spectral region // Electron. Lett. - 1990. - Vol. 26, № 10. - P. 664.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Вольт-фарадные характеристики диодных структур с инверсионным слоем на гетерогранице // Письма в ЖТФ. - 1991. - Т. 17, № 22. - С. 51-53.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. P-n гомогенные InSe-фотодиоды // Физ. и техн. полупров. - 1991. - Т. 25, № 5. - С. 954-957.

Katerinchuk V.N., Kovalyuk M.Z. InSe p-n homojunction diodes // Phys. stat. sol. (a). - 1992. - Vol. 133, № 1. - P. K45-K48.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Гетеропереходы из InSe, сформированные термическим окислением кристаллической подложки // Письма в ЖТФ. - 1992. - Т. 18, № 12. - С. 70-72.

Катеринчук В.М., Ковалюк М.З. Вплив інверсійного шару на електричні властивості гетеропереходу n-SnS₂-p-InSe // Укр. фіз. ж. - 1993. - Т. 38, № 2. - С. 259-262.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З., Огородник А.Д., Жирко Ю.И. Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид - p-In₄Se₃ // Физ. и техн. полупров. - 1994. - Т. 28, № 7. - С. 1208-1210.

Katerinchuk V.N., Kovalyuk M.Z., Ogorodnik A.D. Photosensitive oxide-p-In₄Se₃ heterostructures // Phys. stat. sol. (a). - 1995. - Vol. 148, № 1. - P. K75-K76.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З., Огородник А.Д. Гетероструктуры на основе селенидов индия // Неорг. матер. - 1996. - Т. 32, № 8. - С. 937-940.

Katerinchuk V.N., Kovalyuk M.Z. Photoelectric properties of n-SnS₂-p-InSe heterojunction // J. Adv. Mater. - 1997. - Vol. 4, № 1. - P. 40-43.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Фотоплеохроизм диодных структур оксид-p-InSe // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23, № 10. - С. 1-3.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Заслонкин А.В. Влияние режимов формирования собственного оксида на свойства гетеропереходов оксид-p-InSe // Письма в ЖТФ. - 1999. Т. 25, № 13. - C. 34-36.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Гетеропереходы на основе GaTe // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25, № 2. - C. 29-33.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Каминский В.М. Гетеропереходы p-GaSe-n-рекристаллизированный InSe // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, № 2. - C. 19-22.

Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Товарніцький М.В. Гетероперехід GaSe-InSe із властивостями структур напівпровідник-тонкий діелектрик-напівпровідник // Укр. фіз. ж. - 2000. - Т. 45, № 1. - С. 87-91.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Беца Т.В. Гетеропереходы n-SnSSe-p-InSe // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, № 17. - С. 6-10.

Kovalyuk Z.D., Katerinchuk V.N., Betsa T.V. Photoresponse spectral investigations for anisotropic semiconductor InSe // Opt. Mater. - 2001. - Vol. 17. - P. 279-281.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Беца Т.В., Каминский В.М., Нетяга В.В. Гетеропереходы оксид-p-InSe на ориентированной (110) подложке кристалла // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т. 27, № 10. - С. 62-66.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Беца Т.В. Гетеропереходы на основе слоистых полупроводников SnS_1,9Se_0,1 иGaSe // Неорг. матер. - 2001. - Т. 37, № 4. - С. 415-417.

Katerynchuk V.M., Kovalyuk M.Z., Tovarnitsky M.V. Photoresponse spectra of intrinsic oxide-p-InSe heterojunctions // J. Optoelectr. Adv. Mater. - 2003. - Vol. 5, № 4. - P. 853-857.

Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., Sydor O.M. Intrinsic conductive oxide–p-InSe solar cells // Mater. Sci. Engin. B. - 2004. - Vol. 109, № 1-3. - P. 252-255.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Получение гетероструктур окисел-p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками // Физ. и техн. полупров. - 2004. - Т. 38, № 4. - С. 417-421.

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 3. - С. 7-9.

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н., Хомяк В.В. Влияние гамма-облучения на свойства InSe-фотодиодов // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, № 9. - С. 1-5.

Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Sydor O.M. Photoelectrical properties of heterojunctions connected with van-der-Waals forces // J. Optoelect. Adv. Mater. - 2005. - Vol. 7, № 2. - P. 903-906.

Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V., Savchuk A.I., Sydor O.M. -Radiation influence on the photoelectrical properties of oxide-p-InSe heterostructure // Mater. Sci. Engin. B. - 2005. - Vol. 118, № 1-3. - P. 147-149.

Ковалюк 3.Д., Катеринчук В.Н., Сидор О.Н. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры “окисел - InSe - окисел” // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 1 (55). - С. 38-40.

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н. Влияние g-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур // Техн. констр. в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5 (55). - С. 47-48.

Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS_2-хSe_х- InSe (0х1) // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 2 (62). - С. 41-42.

Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Катеринчук В.Н., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел-p-InSe в условиях рентгеновского облучения // Физ. и техн. полупров. - 2006. - Т. 40, № 8. - С. 940-943.

Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Politanska O.A., Sydor O.M., Savchuk A.I., Raransky M.D., Palamaryk M.Yu. Change of built-in-potential in heterostructures induced by X-ray irradiation // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2006. - Vol. 246, № 1. - P. 118-121.

Katerynchuk V.M., Kovalyuk M.Z., Tovarnitskii M.V. Photoemission spectra of indium selenide // Semicond. Phys., Quantum Electr. Optoelectr. - 2006. - Vol. 9, № 4. - P. 36-39.

Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З., Литвин О.С. Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 3(69). - С. 41-42.

Ковалюк З.Д., Литовченко П.Г., Политанская О.А., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO-GaSe // Физ. и техн. полупров. - 2007. - Т. 41, № 5. - С. 570-574.

Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Нетяга В.В. Исследование изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел)-n-InSe, полученных длительным термическим окислением // Физ. и техн. полупров. - 2007. - Т. 41, № 9. - С. 1074-1077.

Бахтинов А.П., Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Литвин О.С. Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления // Физ. тв. тела. - 2007. - Т. 49, № 8. - С. 1497-1503.

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Нетяга В.В., Заслонкин А.В. Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5(71). - С. 43-45.

Katerynchuk V.M., Kovalyuk M.Z., Tovarnitskii M.V. Radiative recombination in InSe layered crystal // J. Optoelect. Adv. Mater. - 2007. - Vol. 9, № 5. - P. 1310-1313.