Анотація до роботи:

Сукретний В.Г. “Адсорбція кисню на гранях монокристалу вольфраму при кріогенних температурах.”-рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.04.-фізична електроніка.- Інститут Фізики НАН України, Київ, 2002р.

Дисертація присвячена вивченню адсорбції кисню на (100), (111), (112), (110) та віцінальних [3(110x( 01)] і [5(110)x(01)] гранях вольфраму при низьких, включно до 5K, температурах. Для здійснення цих досліджень було створено надвисоковакуумну установку типу “чорна камера”. Низькотемпературні ТД спектри адсорбційних станів молекулярного кисню мають три піки: з температурою десорбції 25, 27К незалежно від кристалографічної орієнтації поверхні вольфраму та пік з температурою десорбції 45К, що тільки для W(111) зміщується до 60К. Ці стани характеризуються енергіями активації десорбції 0,07, 0,08, 0,13 еВ (0,017 еВ для W(111)). Заповнення адсорбційних станів відбувається послідовно.

Для вивчення кінетики адсорбції кисню використовувався метод молекулярного пучка при температурі газу в ефузивному джерелі 78-550K. Встановлено подібність кінетики адсорбції кисню на (100), (112), (111) та віцінальних гранях вольфраму і якісну відмінність кінетики адсорбції на початковій стадії на грані (110). Виходячи з двостадійної моделі кінетики адсорбції та отриманих залежностей коефіцієнта прилипання від покриття, температури підкладки та кінетичної енергії падаючих молекул, проаналізовані імовірні механізми утворення адсорбованої плівки для досліджуваних систем. Виявлено роль власного і зовнішнього передстанів в адсорбційному процесі. Встановлена дисоціативна природа адсорбції при 5К і вплив поверхневої атомної структури та дефектів на кінетику адсорбції.

Отримані результати демонструють здатність даних по кінетиці адсорбції бути джерелом інформації відносно характеру потенціального бар’єру і ролі предстанів при дисоціативній адсорбції.